公开(公告)号：CN105679938A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610080277.9

申请日：2016-02-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  徐文娟 ,  仪明东 ,  孙辰 ,  李雯 ,  舒景坤 ,  胡波 ,  黄维

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/005

Abstract: 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层，栅绝缘层，其中隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层共同组合成了电荷捕获层。本发明所述晶体管存储器采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产电荷捕获层为一层平滑的小分子螺环材料和高介电常数聚合物的复合纳米薄膜该存储器实现了高密度、稳定的非易失性存储性能，且保持较高迁移率和开关比(104)，且操作工艺简单，成本较低，便于存储器件的推广、生产。

公开(公告)号：CN105679938B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201610080277.9

申请日：2016-02-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 解令海 ,  徐文娟 ,  仪明东 ,  孙辰 ,  李雯 ,  舒景坤 ,  胡波 ,  黄维

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及基于小分子的有机非易失性场效应晶体管存储器件领域。公开了一种螺环小分子浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法。所述存储器从上至下依次结构包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层，栅绝缘层，其中隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层共同组合成了电荷捕获层。本发明所述晶体管存储器采用溶液加工法制备，操作简便，成本低廉，节约能源，有利于大规模批量化生产电荷捕获层为一层平滑的小分子螺环材料和高介电常数聚合物的复合纳米薄膜该存储器实现了高密度、稳定的非易失性存储性能，且保持较高迁移率和开关比(104)，且操作工艺简单，成本较低，便于存储器件的推广、生产。