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公开(公告)号：CN106531886B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610867903.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN106531886A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610867903.9
申请日：2016-09-29
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L27/283 , H01L27/305 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN118234252A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410397057.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体行业有机场效应晶体管存储器技术与光探测技术领域，公开一种双极性浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法；所述晶体管存储器包括从上至下依次设置的源漏电极、有机半导体层、浮栅层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅极；源漏电极设置在有机半导体层的表面两侧；电荷存储层的材料为碳硼烷小分子材料；本发明提供的有机场效应晶体管存储器具有大的电流开关比，测试稳定性好，能够同时捕捉电子空穴两种电荷，提高了器件的存储密度，且在不增加工艺程序复杂度的基础上降低了制造成本，在存储器的结构设计领域具有广泛意义。
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公开(公告)号：CN109037449B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810659461.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN106981573B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710166292.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831996A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810577601.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN105810820A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610145236.3
申请日：2016-03-15
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/283 , H01L27/305
Abstract: 本发明涉及一种多孔结构有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机光敏半导体、多孔聚合物薄膜层、栅绝缘层，所述有机光敏半导体与栅绝缘层之间设有多孔结构的聚合物薄膜层，所述源漏电极和有机光敏半导体全部或部分为周期性生长的多孔结构。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备多孔结构的聚合物薄膜层，并将其作为多孔模板层，诱导有机光敏半导体层、金属源漏电极形成周期性多孔形貌生长。本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能及光敏性能，使其存储容量、开关速度和光响应能力得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN109037449A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810659461.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/105
Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN105823972B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610145044.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法,属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括:制备具有定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器;测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据;将所述存储窗口数据进行线性拟合,计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压;根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度;根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差,计算最小隧穿势垒;根据所述最小隧穿势垒和电场强度,计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
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公开(公告)号：CN106981573A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710166292.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/428 , B82Y30/00 , H01L51/0003 , H01L51/441
Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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