一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器

    公开(公告)号:CN106684244B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201610953991.4

    申请日:2016-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器,该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极,半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底,所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物,并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层,同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能,更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储,并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能,具有很好的机械柔韧性。

    一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法

    公开(公告)号:CN109037449A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810659461.8

    申请日:2018-06-25

    CPC classification number: H01L51/0545 H01L51/0562 H01L51/105

    Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法,该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层,还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结,所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构,即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高,因此,这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

    一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件

    公开(公告)号:CN105742281A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610189737.1

    申请日:2016-03-30

    CPC classification number: H01L27/0251 H01L27/0255 H01L27/0296

    Abstract: 本发明公开了一种PN结辅助触发SCR?LDMOS结构的高压ESD保护器件,包括P型硅衬底,所述P型硅衬底上设有埋氧层,埋氧层上设有漂移区,漂移区的上方从左到右依次设有N?buffer区、P区、P?body区;所述N?buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区;所述P?body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区,P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连。当ESD保护器件的漏极受到正向ESD脉冲后,利用反偏PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度,降低了触发电压Vt1。并且器件引入的反偏PN结可有效抑制寄生SCR的正反馈作用,从而有效提高器件的维持电压Vh,避免器件发生闩锁效应。

    一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法

    公开(公告)号:CN109037449B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN201810659461.8

    申请日:2018-06-25

    Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法,该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层,还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结,所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构,即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高,因此,这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

    一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器

    公开(公告)号:CN106953010A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710129601.6

    申请日:2017-03-07

    CPC classification number: H01L51/0512 H01L51/0032 H01L51/0516

    Abstract: 本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极,所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层,并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能,使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升;并且该器件大部分采用溶液法制备,成本低易推广。

    一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器

    公开(公告)号:CN106684244A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201610953991.4

    申请日:2016-11-03

    CPC classification number: H01L51/057 H01L51/0003 H01L51/0035 H01L51/102

    Abstract: 本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器,该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极,半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底,所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物,并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层,同时实现浮栅层和隧穿层的功能。本发明还提出一种制备上述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法。本发明不仅能够在较低电压下表现出良好的晶体管性能,更能够在低电压下通过多元掺杂的方式实现较好的存储,并且在较小的弯曲半径和不同的弯曲方式下仍然可以保持原有的晶体管和存储器的性能,具有很好的机械柔韧性。

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