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公开(公告)号：CN105742281A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610189737.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L27/0255 , H01L27/0296
Abstract: 本发明公开了一种PN结辅助触发SCR?LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N?buffer区、P区、P?body区；所述N?buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区；所述P?body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区，P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连。当ESD保护器件的漏极受到正向ESD脉冲后，利用反偏PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度，降低了触发电压Vt1。并且器件引入的反偏PN结可有效抑制寄生SCR的正反馈作用，从而有效提高器件的维持电压Vh，避免器件发生闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104934466A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510292293.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0834 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。
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公开(公告)号：CN105742281B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610189737.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种PN结辅助触发SCR‑LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N‑buffer区、P区、P‑body区；所述N‑buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区；所述P‑body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区，P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连。当ESD保护器件的漏极受到正向ESD脉冲后，利用反偏PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度，降低了触发电压Vt1。并且器件引入的反偏PN结可有效抑制寄生SCR的正反馈作用，从而有效提高器件的维持电压Vh，避免器件发生闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104637995A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510077083.9
申请日：2015-02-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔离与结隔离相结合的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性,另外一方面也可以减小器件的尺寸面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633140B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610193224.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L23/367 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI LIGBT器件的制造方法，将常规SOI LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN104934466B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510292293.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。
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公开(公告)号：CN105633140A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610193224.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L23/367 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L23/367 , H01L29/1095 , H01L29/66325
Abstract: 本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI LIGBT器件的制造方法，将常规SOI LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN204680673U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520370037.3
申请日：2015-06-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。
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公开(公告)号：CN204375755U
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201520104941.X
申请日：2015-02-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔离与结隔离相结合的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性,另外一方面也可以减小器件的尺寸面积。
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