公开(公告)号：CN108258116A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711456260.X

申请日：2017-12-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  陈旭东 ,  黄维 ,  宋子忆 ,  解令海

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种半导体纳米阵列有机场效应晶体管多位存储器及其制备方法，该存储器从下至上依次包括衬底、栅绝缘层、电荷存储层、有机半导体层、源漏电极，所述电荷存储层为半导体纳米阵列薄膜，是由掺杂了半导体纳米粒子的低介电常数聚合物薄膜制成。其制备方法是在重掺杂硅的衬底上依次旋涂掺杂了半导体纳米粒子的低介电常数聚合物溶液、蒸镀有机半导体层和源漏电极，制成存储器。本发明通过在聚合物内掺杂半导体纳米粒子，退火形成纳米阵列优化改进器件的存储密度，形成单一器件的多位存储，使其开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。

公开(公告)号：CN109037449B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810659461.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  陈旭东 ,  李焕群 ,  李宇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN109037449A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810659461.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  陈旭东 ,  李焕群 ,  李宇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN106981573A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710166292.X

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  李焕群 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  包岩 ,  宋子忆 ,  黄维

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/428 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/441

Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN106981573B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201710166292.X

申请日：2017-03-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  李焕群 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  包岩 ,  宋子忆 ,  黄维

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN108831996A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810577601.7

申请日：2018-06-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  李宇 ,  陈旭东 ,  李焕群

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。