公开(公告)号：CN109037449B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810659461.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  陈旭东 ,  李焕群 ,  李宇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN110993792A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911189097.4

申请日：2019-11-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  李宇 ,  曹克阳 ,  郭云

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术领域。利用聚合物材料和绝缘材料分别溶于低沸点溶剂并混合旋涂至衬底表面，再经过退火以后形成纳米阵列，作为电荷俘获层应用于有机场效应晶体管存储器，进而提高存储器件的迁移率和稳定性；本发明可以有效的应用于各类可溶性小分子和聚合物材料，使其简单快速的形成纳米阵列。本发明通过简单的制备手段改进器件的电荷俘获层，使其迁移率、存储密度、和稳定性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN109037449A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810659461.8

申请日：2018-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  陈旭东 ,  李焕群 ,  李宇

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型有机半导体层中间夹设一个n型有机半导体层所构成的三明治堆叠结构，即PNP型结构。本发明存储器能级调控灵活、迁移率和稳定性较高，因此，这种基于叠层有机半导体异质结的非易失性晶体管存储器可以在高密度存储和高容量存储中得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN108831996A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810577601.7

申请日：2018-06-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  宋子忆 ,  李雯 ,  李宇 ,  陈旭东 ,  李焕群

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。