公开(公告)号：CN105810820A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610145236.3

申请日：2016-03-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  马洋杏 ,  包岩 ,  李焕群 ,  黄维

IPC: H01L51/10 ,  H01L27/28 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/283 ,  H01L27/305

Abstract: 本发明涉及一种多孔结构有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机光敏半导体、多孔聚合物薄膜层、栅绝缘层，所述有机光敏半导体与栅绝缘层之间设有多孔结构的聚合物薄膜层，所述源漏电极和有机光敏半导体全部或部分为周期性生长的多孔结构。本发明采用旋涂法在栅绝缘层基片上制备多孔结构的聚合物薄膜层，并将其作为多孔模板层，诱导有机光敏半导体层、金属源漏电极形成周期性多孔形貌生长。本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能及光敏性能，使其存储容量、开关速度和光响应能力得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN105823972B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201610145044.2

申请日：2016-03-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  包岩 ,  李焕群 ,  马洋杏 ,  黄维

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法,属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括:制备具有定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器;测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据;将所述存储窗口数据进行线性拟合,计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压;根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度;根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差,计算最小隧穿势垒;根据所述最小隧穿势垒和电场强度,计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。

公开(公告)号：CN105823972A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610145044.2

申请日：2016-03-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  包岩 ,  李焕群 ,  马洋杏 ,  黄维

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。