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公开(公告)号：CN118234252A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410397057.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于半导体行业有机场效应晶体管存储器技术与光探测技术领域，公开一种双极性浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法；所述晶体管存储器包括从上至下依次设置的源漏电极、有机半导体层、浮栅层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅极；源漏电极设置在有机半导体层的表面两侧；电荷存储层的材料为碳硼烷小分子材料；本发明提供的有机场效应晶体管存储器具有大的电流开关比，测试稳定性好，能够同时捕捉电子空穴两种电荷，提高了器件的存储密度，且在不增加工艺程序复杂度的基础上降低了制造成本，在存储器的结构设计领域具有广泛意义。
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