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公开(公告)号：CN106981568B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710203043.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是：金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PET衬底，所述修饰层材料为氧化铝Al2O3，性能稳定，基本突触模拟功能都可以实现，并且在弯曲一定次数和弯曲不同半径下均能保持着优越的忆阻性能和生物模拟功能，同时，相比同类型器件结构易于设计，发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN106981568A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710203043.3
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/14 , H01L45/1625
Abstract: 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是：金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PET衬底，所述修饰层材料为氧化铝Al2O3，性能稳定，基本突触模拟功能都可以实现，并且在弯曲一定次数和弯曲不同半径下均能保持着优越的忆阻性能和生物模拟功能，同时，相比同类型器件结构易于设计，发明产率高，具有普适性，有着重要的研究意义。
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公开(公告)号：CN106601909A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
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公开(公告)号：CN106601909B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
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