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公开(公告)号：CN118354655A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410409133.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N15/10
Abstract: 本发明公开了一种自补偿式红外探测器及其制作方法，涉及半导体领域，针对现有技术中红外探测器的抗干扰能力差的问题提出本方案。主要通过设置无吸收层结构的补偿单元以及带有吸收层结构的感受单元，以二者间的信号差值来作为红外探测器的输出。优点在于，通过使用自补偿式结构极大地降低了环境温度背景信号和震动对探测器性能的干扰，能够解决目前红外探测器抗干扰能力差的问题，可广泛应用于微纳传感器件的设计制备领域。
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公开(公告)号：CN117897040A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311811557.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种横向结构忆阻器及其制备方法和应用。本发明的横向结构忆阻器的组成包括依次层叠设置的金衬底、二硫化钨层和氮化铝层，二硫化钨层远离金衬底的那一面还设置有第一电极，氮化铝层远离二硫化钨层的那一面还设置有第二电极。本发明的横向结构忆阻器的制备方法包括以下步骤：1)在金衬底上制备二硫化钨层；2)在二硫化钨层上制备氮化铝层；3)制备第一电极和第二电极。本发明的横向结构忆阻器具有防串扰性能好、存储窗口大、结构简单、集成性高等优点，可以用于新型存储器件，且其制备工艺简单、生产成本低，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN114513186B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210089558.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高频声表面波谐振器及其制备方法，涉及5G通信的微电子器件，针对现有技术中键合转移温度高和机电耦合系数低等问题提出本方案。在高声速衬底远离第一衬底的端面设置第一键合金属层，在压电薄膜远离叉指电极的端面设置第二键合金属层，通过第一键合金属层与第二键合金属层完成压电薄膜与高声速衬底的键合处理。优点在于，与低温金属键合工艺兼容，金属键合的工作温度更低，可以大大降低器件的热应力。其次金属键合可以使得键合界面获得更大的键合能，器件更稳定。另外，以X切铌酸锂为压电薄膜，且叉指电极的垂直方向与压电薄膜Z轴成44°夹角，可以获得更高的机电耦合系数，从而提高器件的带宽。
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公开(公告)号：CN115299909A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210915984.0
申请日：2022-08-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种采用硬件实现的PPG波形及心率探测系统，包括：红外光电传感器，用于探测人体指尖的脉动波形，获得脉动信号；模数转换器，用于对脉动信号进行模数转换，获得脉搏波信号；脉搏波信号处理模块，包括心率硬件计数单元和心率波形像素硬件处理单元，心率硬件计数单元用于根据脉搏波信号计算心率值，并控制显示屏显示心率值；心率波形像素硬件处理单元用于根据脉搏波信号控制显示屏显示PPG波形；显示屏，用于显示PPG波形和心率值。本发明相对于现有的软件处理脉搏波信号，使用硬件处理可以使系统整体功耗更低，速度更快，面积更小，从而更有市场竞争力。本发明可广泛应用于医疗设备及人体信号检测技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119521802A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411636695.2
申请日：2024-11-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10F30/00 , H10F30/282 , H10F71/00 , H10K30/65 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开一种低功耗的光电导探测器及其制备方法，涉及光电技术，针对现有技术中高响应度与低功耗之间平衡不足等问题提出本方案。包括依次层叠而形成光栅效应的有源区半导体、栅介质层和栅极；所述有源区半导体一端设有漏极，另一端设有源极；所述有源区半导体与漏极、源极的接触均为肖特基接触；所述栅介质层中具有电子陷阱，用于吸收有源区半导体产生的光生电子，造成有源区半导体远离栅介质层的能带上移。优点在于，基于光栅增强效应实现降低暗电流并增强光响应特性。在栅极偏置下可实现开启和关闭转换，降低功耗、提高光电流和光响应度，极大提升了光探测效率。
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公开(公告)号：CN119511600A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510059927.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂光子芯片的混合存算架构及其实现方法。所述架构包括铌酸锂光路、光电转换模块以及铌酸锂忆阻器存算模块。铌酸锂光路包括光耦合入射模块、级联调制模块、光耦合出射模块、第一并行波导和第二并行波导；通过铌酸锂光路实现光电转换模块以及忆阻器存算模块之间的高频信号通信。本发明的互连基于集成光学实现，克服了传统电子存算芯片带宽不足且热管理成本过高的难点；其次，本发明可以在无外部电偏置下直接由波导中的光开关控制工作，芯片存算将只受限于忆阻器开关速度(GHz)。本发明适用于需求低功耗、高带宽的并行计算、如机器学习推理和神经计算领域。
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公开(公告)号：CN118610246A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410673670.3
申请日：2024-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓倒装封装结构。所述器件结构包括隔离层、有源层、钝化层以及介质插槽阵列；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；有源层上表面除连接源电极、漏电极和栅电极的位置、以及源电极、漏电极和栅电极的上表面，均淀积有设定厚度的钝化层；钝化层内设置有插槽阵列，插槽阵列放置在栅电极与漏电极之间的钝化层中，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列中的插槽内填充有介质材料。通过在Flip Chip封装的基础上采用本发明的结构，在维持器件输出能力不变的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的下降，可广泛应用于多个领域。
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公开(公告)号：CN118610245A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410673548.6
申请日：2024-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。
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公开(公告)号：CN118338774A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410303622.5
申请日：2024-03-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结的高开关比铁电隧道结，涉及半导体技术，针对现有技术中FTJ电场耐受性低以及FSJ天然温度依赖性的等问题提出本方案。在铁电隧穿层一端面设置第一金属电极，另一端面设置二维半导体电极，铁电隧穿层和二维半导体电极之间为范德华接触以形成不对称电极结构；其中，所述铁电隧穿层材料为二维α‑In2Se3。优点在于，提出了一种二维半导体电极/α‑In2Se3/金属电极的FTJ结构，该结构利用具有半导体性质的铁电隧穿层来增强其鲁棒性，使得其在大电压下也能够保持稳定。同时二维半导体电极的引入增强了势垒高度的调控，并且降低了热发射电流，提高了开关比。此外该结构还具有很好的温度不相关性。
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