-
公开(公告)号：CN118338774A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410303622.5
申请日：2024-03-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10N97/00
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结的高开关比铁电隧道结，涉及半导体技术，针对现有技术中FTJ电场耐受性低以及FSJ天然温度依赖性的等问题提出本方案。在铁电隧穿层一端面设置第一金属电极，另一端面设置二维半导体电极，铁电隧穿层和二维半导体电极之间为范德华接触以形成不对称电极结构；其中，所述铁电隧穿层材料为二维α‑In2Se3。优点在于，提出了一种二维半导体电极/α‑In2Se3/金属电极的FTJ结构，该结构利用具有半导体性质的铁电隧穿层来增强其鲁棒性，使得其在大电压下也能够保持稳定。同时二维半导体电极的引入增强了势垒高度的调控，并且降低了热发射电流，提高了开关比。此外该结构还具有很好的温度不相关性。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
