公开(公告)号：CN119121137A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411198868.7

申请日：2024-08-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 肖嘉滢 ,  王文樑 ,  曹怡诺 ,  刘力玮 ,  文灿

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C16/34 ,  C23C14/02 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开了一种GaN薄膜及其制备方法和应用。本发明的GaN薄膜的制备方法包括以下步骤：1)将AlN陶瓷靶作为原料，采用脉冲激光沉积工艺在衬底上沉积AlN薄膜；或者，先在衬底上沉积AlN薄膜，再将金属Mo和硫粉作为原料，采用磁控溅射工艺在AlN薄膜上沉积MoS2薄膜；2)将三甲基镓、三甲基铝和氨气作为原料，采用有机金属化学气相沉积工艺在AlN薄膜或MoS2薄膜上沉积GaN薄膜。本发明将低温PLD和高温MOCVD有机结合来制备GaN薄膜，具有简单易操作、成本低廉、适用于大批量生产等优点，制备得到的GaN薄膜表面光滑、厚度可控、结晶良好、生长均匀，适合在光电子领域和微电子领域大规模应用。

公开(公告)号：CN110364582B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201910535044.7

申请日：2019-06-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  郑昱林 ,  王文樑 ,  粱敬晗

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器及其制备方法。所述紫外探测器包括由下至上的衬底、石墨烯模板层、AlGaN纳米柱、与AlGaN纳米柱间形成肖特基接触的Ni第一金属层和Au第二金属层，还包括填充AlGaN纳米柱中的Si3N4绝缘层，且Ni第一金属层和Au第二金属层作为电极材料组成叉指电极。AlGaN材料的禁带宽度可根据Al组分的不同从3.4 eV到6.2 eV连续可调，因而可对波长为200 nm到365 nm的光进行有效探测，具有良好的日盲特性；本发明的紫外探测器对UVA‑C紫外光具有十分高的灵敏探测，可应用于紫外导弹制导、明火探测和太阳照度检测等领域。

公开(公告)号：CN110690311B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201911022490.4

申请日：2019-10-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  李国强 ,  杨昱辉 ,  孔德麒

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。本发明有效降低表面对可见光光的反射损耗，增强可见光光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。

公开(公告)号：CN112701200B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011640772.3

申请日：2020-12-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  姚书南 ,  柴华卿 ,  林志霆 ,  王文樑

IPC: H01L33/38 ,  H01L29/778 ,  H01L27/15 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法。单片集成器件从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层和第二钝化层；组合区域分为HEMT区和LED区，HEMT区从下到上依次包括电极层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层、i‑GaN缓冲层；LED区从下到上依次包括P电极、Ag反射层；器件包括N电极，N电极贯穿于P电极等，N电极的两端延伸至金属键合层和n‑GaN层的内部。本发明的器件简单，实现了可见光系统，提高了LED的带宽，改善了器件的性能。

公开(公告)号：CN110797441B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201911127056.2

申请日：2019-11-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  李媛 ,  洪晓松 ,  王文樑 ,  邢志恒

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本发明提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜的制备方法具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。

公开(公告)号：CN113972299B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111157718.8

申请日：2021-09-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  陈胜 ,  王文樑 ,  柴吉星

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  C23C16/30 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法，所述方法包括：用丙酮、乙醇和去离子水对衬底进行表面清洗；其中，所述衬底材料为Si/SiO2衬底或SiO2玻璃衬底；在所述衬底上进行光刻，旋涂光刻胶，进行光刻后再经过干法刻蚀或湿法腐蚀获得凹槽图形；在所述衬底的凹槽图形中沉积一层锗晶体，得到处理后的衬底；将所述处理后的衬底放进化学气相沉积设备中进行生长，生长源为高纯度硫粉和高纯度锗粉，从而制得SiO2衬底上的硫化锗单晶薄膜。本发明提供的制备方法操作简单，可以在SiO2衬底上生长出单晶硫化锗GeS2，单晶硫化锗晶体质量高，表面粗糙度小，具有对应可见光波段蓝紫光的禁带宽度。

公开(公告)号：CN117393649A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311428435.1

申请日：2023-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  林廷钧 ,  李国强

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括以下步骤：将具有分离台面的GaN外延晶圆转移至磁控溅射设备中，溅射薄层金属Mo：转移至CVD炉中，放入S粉前驱体，进行高温硫化，进行匀胶、曝光、显影得到二维MoS2图形化区域；对二维MoS2图形化区域进行光刻胶涂敷保护，然后进行Ar等离子体刻蚀，获得二维MoS2图形化的二维；在二维MoS2上制备Au电极，在GaN上制备的Ti/Au电极，得到光电探测器。本发明还公开了上述制备方法制备得到的光电探测器。本发明实现了GaN上大尺寸二维MoS2的生长，二维MoS2图形化，制备得到高性能的光电探测器，且操作简单，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN108231871B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201810097611.0

申请日：2018-01-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  黄烈根 ,  王文樑 ,  郑昱林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管及其制备方法。MoS2基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为MoS2xSe2(1‑x)层/MoS2层/MoS2xSe2(1‑x)层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本发明采用量子阱型结构，在此结构中存在两个平行的异质界面，最大电流薄层和电流都加倍；MoS2沟道层夹在两个势垒之间，能够更好地限制载流子。总之，本发明的晶体管具有优异的性能。

公开(公告)号：CN116454147A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310227352.X

申请日：2023-03-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  陈亮 ,  王文樑 ,  柴吉星

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种柔性可见光探测器及其制备方法；探测器结构包括：位于所述柔性衬底上表面的分布式布拉格反射层；位于所述分布式布拉格反射层上表面的电流扩展层；位于所述电流扩展层上表面的P型电极层；位于所述P型电极层上表面的P型扩散层；位于所述P型扩散层上表面的InGaN/GaN量子阱结构耗尽层；位于所述周期性InGaN/GaN量子阱结构耗尽层上表面的N型扩散层；位于所述N型扩散层上表面的N型电极层；本发明提供了一种柔性高质量、高In组分的InGaN外延薄膜制备方法，该垂直PIN型可见光探测器结构具有高的蓝光响应度及响应速度。同时，该柔性探测器件可有效拓宽可见光通信在智能穿戴等领域的应用场景。

公开(公告)号：CN115566096A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211064807.2

申请日：2022-09-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  李林浩

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/Nb2C基紫外光电探测器及其制备方法，所述AlGaN/Nb2C基紫外光电探测器包括在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂Ga极性面AlN缓冲层和非掺杂Ga极性面AlxGa1‑xN层的紫外光电探测器外延片和设置在所述紫外光电探测器外延片上的绝缘层、欧姆接触电极和肖特基接触电极以及利用阵列凸台设计间隔台面，其中，x＝0.5～0.8，肖特基接触电极采用二维Nb2C材料制备，绝缘层为Al2O3绝缘层。本发明提供的AlGaN紫外光电探测器，提高了AlGaN紫外光电探测器在紫外日盲波段的响应度和探测率。