本发明公开了一种柔性可见光探测器及其制备方法；探测器结构包括：位于所述柔性衬底上表面的分布式布拉格反射层；位于所述分布式布拉格反射层上表面的电流扩展层；位于所述电流扩展层上表面的P型电极层；位于所述P型电极层上表面的P型扩散层；位于所述P型扩散层上表面的InGaN/GaN量子阱结构耗尽层；位于所述周期性InGaN/GaN量子阱结构耗尽层上表面的N型扩散层；位于所述N型扩散层上表面的N型电极层；本发明提供了一种柔性高质量、高In组分的InGaN外延薄膜制备方法，该垂直PIN型可见光探测器结构具有高的蓝光响应度及响应速度。同时，该柔性探测器件可有效拓宽可见光通信在智能穿戴等领域的应用场景。