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公开(公告)号：CN112635614B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011520157.9
申请日：2020-12-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器及制备方法，包括衬底，所述衬底上设置半导体层，半导体层上设置绝缘层，绝缘层及部分半导体层上设置石墨烯层，透明钝化层及压电栅极层设置在石墨烯层上，栅极顶部电极设置在压电栅极层上，第二金属电极与半导体层形成肖特基接触，第一金属电极与石墨烯层形成欧姆接触。本发明结构简单，可靠性高，制作工艺对核心结构的影响较小，可以调控器件光响应，制备出高响应度低暗电流的光电探测器。
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公开(公告)号：CN113224193B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110390252.X
申请日：2021-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用；所述探测器由下至上依次包括：Si衬底、AlN/AlGaN/GaN缓冲层、u‑GaN/AlN/u‑GaN/SiNx/u‑GaN缓冲层、n‑GaN缓冲层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层；多量子阱层具有凹槽结构，多量子阱层的台面及凹槽有Si3N4钝化层，所述钝化层的凹槽内有第一金属层电极，其截面为半圆形，所述钝化层的台面有第二金属层电极。此制备方法工艺简单、省时高效。本发明将钝化层与嵌入电极结构结合使用可大幅提升器件性能，器件具有外量子效率高、响应度高、暗电流低等优点。
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公开(公告)号：CN113972294A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111133837.X
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于蓝光探测器的技术领域，公开了一种碳化钛/InGaN异质结蓝光探测器及其制备方法。所述蓝光探测器，包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层，Ti3C2/InGaN异质结功能层；缓冲层为从下到上依次设置的AlN层、AlGaN层和GaN层，其中AlN层设置在衬底上；Ti3C2/InGaN异质结功能层中，InGaN层设置在缓冲层的GaN层上，Ti3C2层部分覆盖InGaN层；所述蓝光探测器还包括金属层电极，金属层电极设置在Ti3C2层上和未覆盖的InGaN层上。本发明还公开了蓝光探测器的制备方法。本发明的探测器具有较高的蓝光波段的量子效率、蓝光谐振吸收增强，实现高灵敏度高带宽探测。
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公开(公告)号：CN111430457B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010346191.2
申请日：2020-04-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法，属于整流器领域。该整流器包括依次层叠的硅衬底、GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化GaN层、二维AlN层、非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层和SiNx钝化层，还包括设置在一侧的台面隔离凹槽和肖特基接触电极，所述台面隔离凹槽与非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层、SiNx钝化层和肖特基接触电极接触，所述肖特基接触电极与台面隔离凹槽、非掺杂GaN层接触。本发明二维AlN的厚度仅有几个原子层，故受到的应力和极化强度相较AlGaN更大。因此，本发明GaN/二维AlN的异质结构可产生超高浓度且迁移率超大的二维电子气，从而实现频率和效率的大幅提升。
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公开(公告)号：CN113224198B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110391226.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种2D WS2/InGaN II型异质结自驱动蓝光探测器及其制备方法与应用；该蓝光探测器由下至上依次包括：Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、u‑GaN缓冲层、InGaN层；所述InGaN层上有SiO2窗口层、2D WS2层、第一金属电极；所述2D WS2层上有第二金属电极。本发明通过在InGaN层上引入2D WS2层，利用2D WS2材料禁带宽度为2eV及其能带结构特点，能够与InGaN层实现II型异质结结构，在界面上形成内建电场，电子将向2D WS2层迁移，空穴将向InGaN层迁移，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大光电流，实现了自驱动、高响应蓝光探测器。
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公开(公告)号：CN114784123A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210267957.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法，紫外光电探测器包括紫外光电探测器外延片和沉积在紫外光电探测器外延片上的Si3N4钝化层，以及非对称MSM结构的肖特基叉指电极；紫外光电探测器外延片包括在r面蓝宝石衬底上依次生长的非极性a面AlN缓冲层、组分渐变的非极性a面AlxGa1‑xN缓冲层和非极性a面GaN外延层，x＝0.2～0.8；Si3N4钝化层设置在非极性a面GaN外延层上；肖特基叉指电极穿透Si3N4钝化层，与紫外光电探测器外延片上的非极性a面GaN外延层直接接触。本发明实现了高性能非极性a面GaN紫外光电探测器，降低了器件的暗电流，并增加了稳定性。
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公开(公告)号：CN110690313A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911022500.4
申请日：2019-10-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底MoS2近红外光探测器及制备方法，从下到上依次包括Si衬底、MoS2功能层及Ni/Au金属层电极，所述Ni/Au金属层电极位于MoS2功能层上表面的两端，所述MoS2功能层的上表面镀一层纳米级的Ag颗粒。本发明有效降低表面对近红外光的反射损耗，增强近红外光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
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公开(公告)号：CN110690311B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201911022490.4
申请日：2019-10-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。本发明有效降低表面对可见光光的反射损耗，增强可见光光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
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公开(公告)号：CN110690317A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911056006.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0336 , C23C14/30 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种基于单层MoS2薄膜/GaN纳米柱阵列的自供电紫外探测器及其制备方法。所述自供电紫外探测器，自下至上依次包括衬底、GaN纳米柱阵列、所述GaN纳米柱阵列顶上支撑着的单层MoS2薄膜；所述单层MoS2薄膜上设有第一金属电极；所述GaN纳米柱阵列底端处设有第二金属电极。本发明提供了一种旋涂湿法转移的方法将单层MoS2薄膜转移至生长的GaN纳米柱阵列顶部形成异质结，并利用了MoS2-GaN异质结的PV效应，制备了自供电紫外探测器，极大程度减小了器件的尺寸体积，对光电集成器件应用前景重大。
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