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公开(公告)号：CN104355286B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN102967729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210344083.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明一种压阻式MEMS加速度计，其特征在于它由第一质量块（4）、第二质量块（6）以及玻璃衬底（10）通过键合连接组成，第一质量块（4）中设有悬臂梁（9），悬臂梁上制有压敏电阻（2）及铝引线（3），第二质量块（6）设有加强链（8）。本发明具有如下优点：将梁-岛式结构与加强链式结构结合在一起，实现了较高的灵敏度与较高的固有频率；加强链式结构有效的提高了加速度计的抗冲击能力，避免了恶劣环境下加速度计的失效问题，并能够承受更高的横向加速度，降低了交叉轴灵敏度，进一步提高了加速度计性能。
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公开(公告)号：CN116295542A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515863.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN105137121B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510661783.2
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种加速度计的制备方法，包括衬底层（13）、电极结构层（1）、可动结构层（14）以及盖帽层（18），包括以下步骤：1，衬底（13）的制作，在双抛硅片光刻及刻蚀形成悬浮电极活动浅腔（2）、衬底层锚点（15）、防粘连凸点（12）；2、SOI硅片与衬底层（13）键合，光刻和刻蚀形成浅腔（11）、中心锚点（5）、防粘连凸点（8）、悬浮电极（4）；3、将SOI硅片与电极结构层键合，经光刻和刻蚀后形成可动结构（10）、可动层锚点（22）;4、盖帽（8）封装。本发明的优点是：热应力对电极结构的影响大幅下降，保证了固支悬浮电极结构的一致性以及重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN103557853B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN105293419A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔（4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500？-5000？的第一氧化层（6）和厚度范围500？-1500？的第二氧化层（7），可动结构层（8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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公开(公告)号：CN103600287B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN104355286A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN118929560A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410812768.2
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。
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