公开(公告)号：CN110531242B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910816110.8

申请日：2019-08-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 陈婧瑶 ,  张帅 ,  潘结斌 ,  房立峰 ,  赵娟

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。

公开(公告)号：CN112310577B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202011026602.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 方岚 ,  郑宇 ,  张静 ,  赵娟 ,  陈婧瑶

IPC: H01P1/04

Abstract: 本发明涉及微波元件应用及微波器件测量领域，特别涉及微波波导元件的紧固连接装置，将波两个夹片（Z1）的卡位内槽（K4）卡在两个对准配合的波导元件端面内侧，此时夹片与波导元件连接端口为面接触模式，转动手柄螺栓（Z2），其上部锥形体（K5）将两个夹片的上端部撑开，以定位螺栓（K4）为中心轴，两个夹片的下部的矩形板向内收缩，矩形板上的卡位内槽（K4）尺寸与波导元件连接端面外形尺寸相适，将两个波导元件平行夹紧。在紧固连接过程中，两个波导元件连接端口始终与两个夹片（Z1）中的卡位内槽（K4）处于面接触状态，因此波导元件连接端面在紧固过程中为均匀受力状态，在实现紧固连接的同时有效的避免了电磁泄漏的问题。

公开(公告)号：CN106405362B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201610722805.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 潘结斌 ,  陈计学 ,  赵娟 ,  朱小燕 ,  房立峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。

公开(公告)号：CN115793515B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202211341060.0

申请日：2022-10-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 李奥 ,  郭威 ,  何凯旋 ,  赵娟 ,  宋有禹 ,  吴照川

IPC: G05B19/042 ,  G02B26/08

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的MEMS振镜驱动信号的同步方法，信号波形存储到FPGAROM中控制PSW读出ROM中信号；相位累加器对PSW的控制；ROM产生的驱动信号进行相位同步获得初相位差；快轴驱动信号PSW值处于PSW1‑PSWmax/2n至PSW1时，快轴同步使能信号sync_ready_out1拉高；慢轴驱动信号PSW值处于PSW2‑PSWmax/2n至PSW2时，慢轴同步使能信号sync_ready_out2拉高；获得两轴信号重合部分，同一时刻回到初相位完成了同步。本发明可显著改善直接相位同步带来的驱动信号形状突变，保证驱动信号在相位同步时相位的连续性，减小相位同步对MEMS振镜造成的不良影响。

公开(公告)号：CN113790834B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111110193.2

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王帆 ,  郭立建 ,  赵娟 ,  喻磊

IPC: G01L1/18

Abstract: 本发明提供一种梁膜结构的硅压力传感器芯片制作方法，它包括以下步骤：a）第一硅片和第二硅片的键合，b）第一硅片的减薄，c）压阻的制作，d）压阻桥的制作，e)梁结构的制作，f）背腔的制作。本发明操作简单、实用，制作流程清晰，能可以精确控制硅梁和硅膜的厚度，提高了压力传感器芯片性能的一致性。

公开(公告)号：CN115893302A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211341951.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  王文婧 ,  赵娟 ,  赵斌 ,  刘武博

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。

公开(公告)号：CN106405362A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610722805.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 潘结斌 ,  陈计学 ,  赵娟 ,  朱小燕 ,  房立峰

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。

公开(公告)号：CN213517422U

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202022138255.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 陈婧瑶 ,  赵娟 ,  张帅 ,  包星晨 ,  刘阳

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 本实用新型提供一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置，它包括底座（1），在底座（1）上设有显微镜（3），其特征在于：在显微镜（3）一侧的底座（1）上设有探针夹持装置（5），在探针夹持装置（5）上设有测试探针（6），在底座（1）上还设有BNC测试单元（8），所述的BNC测试单元（8）通过线缆与测试探针（6）形成电信号连接配合。本实用新型结构简单、使用方便，能够避免测量不同低频参数时频繁拆装与测试仪表连接的外部测试电缆，实现半自动测试，提高测试效率。