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公开(公告)号：CN104192791A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410465890.3
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆的切割方法，包括如下步骤:将圆片（1）表面使用光刻胶（4）进行匀胶保护并加热固化，用普通蓝膜（5）在正面进行贴膜，切割时从圆片背面进行切透式切割，切割完成后分别使用丙酮，酒精浸泡，待胶溶解后使用不锈钢镊子将芯片取出后带有微结构面向上放入盛放芯片区带有通孔的花篮中，然后将花篮悬挂在烧杯中，将氮气管插入至烧杯底部，开启适量氮气将芯片上酒精吹干。然后将芯片从花篮中取出放入专用MEMS芯片存放盒，待芯片全部处理后连同存放盒放入氮气柜待用。本发明的方法可有效避免切割过程中碎屑掉入微结构中，生产加工工艺简单，易操作，成品率高，加工无微结构尺寸和形状限制。
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公开(公告)号：CN102915934A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210377135.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种高精度BGA植球装置，其特征在于包括：a、保护盒（1），保护盒（1）的上端为开口端、后面铰接活动门（1b）；b、保护盒（1）内设有三维机械调节装置，三维机械调节装置中的各调节螺杆分别穿过保护盒（1）正面和侧面，三维调节装置顶部连接有吸盘（6），吸盘（6）通过软管（12）与负压源连接；c、模板框（8），模板框中设有网版（13），模板框（8）通过螺钉（7）与保护盒（1）的上端对应连接。本发明的方法解决了对BGA器件四个方向的精确定位，在一定程度上可适应不同尺寸的器件，解决了模板拆分频率大导致的容易变形问题和因机械定位导致的器件损伤问题，同时生产加工工艺简单，易操作，可靠性高。
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公开(公告)号：CN102915942B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210377113.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种光耦合器精确固晶装置，其特征在于：a、按照光耦合器的端面特征形状及尺寸，在透明标尺(1)上刻出相应的刻度线；b、将透明标尺固定在校准器(11)上；c、将透明标尺(1)位于显微镜(17)下方，将粘接后未固化的光耦合器(19)置于透明标尺下方的承片台(18)上，通过显微镜观察，调节校准器将光耦合器端面特征形状与透明标尺刻度线重合，然后使用针状物拨动芯粒侧面进行微调，直至光耦合器端面的管壳记号、光敏二极管、发光二极管与透明标尺中对应的刻度线完全重合；d、最后对光耦合器进行固化。本发明与现有技术相比，其显著优点是：固晶一致性高、精确性高、操作简单，可以多次反复使用等。
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公开(公告)号：CN102915934B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210377135.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种高精度BGA植球装置，其特征在于包括：a、保护盒（1），保护盒（1）的上端为开口端、后面铰接活动门（1b）；b、保护盒（1）内设有三维机械调节装置，三维机械调节装置中的各调节螺杆分别穿过保护盒（1）正面和侧面，三维调节装置顶部连接有吸盘（6），吸盘（6）通过软管（12）与负压源连接；c、模板框（8），模板框中设有网版（13），模板框（8）通过螺钉（7）与保护盒（1）的上端对应连接。本发明的方法解决了对BGA器件四个方向的精确定位，在一定程度上可适应不同尺寸的器件，解决了模板拆分频率大导致的容易变形问题和因机械定位导致的器件损伤问题，同时生产加工工艺简单，易操作，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115514909A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211187246.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H04N5/372 , H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种电子倍增CCD用三电平高压驱动转换电路，包括依次连接的上位计算机和主控模块，主控模块分别连接前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块，前极时序电平转换电路、高电平驱动模块和中低电平驱动模块分别连接推挽驱动电路。本发明电子倍增CCD的三电平驱动转换电路可通过主控模块任意调节驱动信号的高中低三路电平值，波形建立时间达到纳秒级，同时高电平驱动电压可超过35V，满足电子倍增CCD像元内倍增需要的高压驱动信号要求，可方便设置任意电子倍增CCD电路的三电平倍增驱动信号，以达到其最佳成像效果。
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公开(公告)号：CN113823587A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111110318.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种TO型电路承载装置，包括承载板（1），承载板（1）一面设有承载孔（11）、另一面连接一组支撑柱（2），支撑柱（2）柱体设有螺纹（21），支撑柱（2）通过螺纹（21）与调节螺母（3）配合，在调节螺母（3）与承载板（1）之间设有底板（4），底板（4）上设有与支撑柱（2）间隙配合的导向孔（41）；当TO型电路装入承载孔（11）时，通过旋转调节螺母（3）改变底板（4）与承载板（1）之间的距离，TO型电路引脚抵住底板（4）并随之上移，使TO型电路与承载板（1）分离，方便后续拿取。本发明结构简单、电路拿取便捷，具有提高工作效率和产品质量、降低人员劳动强度的优点。
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公开(公告)号：CN112269116A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026830.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成电路管壳级真空封装性能测试方法，包括以下步骤：S1、MEMS陀螺微结构芯片初测，S2、MEMS陀螺微结构芯片粘片，S3、MEMS陀螺微结构芯片引线键合，S4、MEMS陀螺微结构芯片第二次测试，S5、MEMS陀螺微结构芯片激光打孔，S6、标定真空度与MEMS陀螺微结构芯片Q值的对应曲线，S7、管壳级真空封装，S8、MEMS陀螺微结构芯片第三次测试，S9、根据步骤S6标定的对应曲线，查找与步骤S8的Q值相对应的真空度，该真空度即是管壳级封装的真空度；该方法能够对管壳级封装后内部的真空度进行评价，从而验证封装或类似设备生产加工的产品内部实际的真空度。
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公开(公告)号：CN112098809A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011026787.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种MEMS微镜晶圆级全自动电学测试方法，包括：a、采用主控计算机、测试模块、矩阵控制面板、探针卡、探针台、显微镜与探针台控制模块构建测试系统；b、将待测晶圆置于探针台的承片台上；探针台控制模块对探针台进行控制，对待测晶圆进行定位，使探针卡与待测晶圆对应连接；c、主控计算机控制电源模块对待测晶圆施加阶梯电压，CV测量模块测量与阶梯电压相对应的阶梯电容，阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度相对应；d、主控计算机通过采集模块读取测试结果，并绘制阶梯电压、阶梯电容与待测晶圆的镜面偏转角度的对应关系图；该方法采用电学测试方式，测量精度高，减少测试时间，节省成本。
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公开(公告)号：CN102368086A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110253293.0
申请日：2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a、在惠斯通电桥各桥臂电阻两端，分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路；b、每次只有一个电流表接通工作，分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4，然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比，其显著优点是：通过电学测试电路以及数学公式变换，可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值，计算方法可编程价值高，易于在测试系统上开发，实现在线生产的大规模测试，从而高效的解决问题。
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