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公开(公告)号：CN114132893A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479935.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式角度反馈传感器MOEMS微镜制备方法，它包括以下步骤：（1）衬底层制作，（2）SOI层制作，（3）键合晶圆制作。本发明可实现静电驱动微镜与介质隔离压阻式反馈传感器集成制造，可以将压敏电阻的漏电流降低到几个nA量级以下，大幅提高角度检测传感器稳定性。
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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN104355284B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅 （3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
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公开(公告)号：CN104369085A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410465732.8
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/345
Abstract: 本发明涉及一种硅片抛光粘片方法，其特征在于：抛光头（01）下表面分布着用于真空吸附的浅凹槽（03），将玻璃衬底（02）上的通孔（04）内填入固体蜡（05），加热使得玻璃衬底（02）与待抛光硅片（06）紧密粘贴，实现化学机械抛光粘片的目的。本发明具有如下优点：采用待抛光硅片和玻璃片直接贴合，由于表面光滑，直接贴合后形成范德瓦尔斯力，在加压过程中不易产生相对移动，保证了贴合后待抛光硅片的均匀性和一致性；采用硅片粘合区域仅在玻璃片通孔区域，缩短了溶化后的液态蜡充分浸透的时间，提高化学机械抛光粘片效率；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
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公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN112265954A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN105293419B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510661530.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种防止悬浮层刻蚀损伤的MEMS器件，其特征在于：衬底硅（3）表面设有浅腔4）、电极（9）及电极隔离槽（5），在浅腔（4）表面设有厚度1500Å-5000Å的第一氧化层（6）和厚度范围500Å-1500Å的第二氧化层（7），可动结构层8）键合到衬底的SOI硅片顶层硅（3）上；盖帽硅片（10）通过玻璃浆料（11）与衬底的SOI硅片顶层硅（3）键合，实现晶圆级真空封装。本发明与传统MEMS器件相比优点在于：采用台阶式二氧化硅层对下电极结构进行保护，即能很好地保护下电极结构不被刻蚀，又能避免结构层发生刻蚀反溅损伤，保证可动结构的完整性，器件结构实现方法简单、可行，便于形成标准工艺。
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