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公开(公告)号:CN104006941B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201410188935.7
申请日:2014-05-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种CBGA封装电路恒定加速度测试装置,包括底座、盖板和焊球保护装置,其中底座为板状结构,板状结构的中心位置设置凸起,环绕凸起的四周形成凹槽,底座的一侧边缘向外延伸出垂直于底座的挡板,底座的另外两端形成插槽,盖板为平板结构,通过插槽与底座配合,并与底座一侧的挡板接触,形成一端开口的空腔结构,用于放置CBGA封装电路;焊球保护装置包括垫片和胶膜,胶膜贴敷在凹槽底部,垫片粘贴在胶膜上,用于对CBGA封装电路上的焊球进行保护,该测试装置实现了CBGA封装电路带球进行加速度测试,在恒定加速度中有效解决夹具和CBGA焊球之间的挤压带来的焊球损伤问题。
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公开(公告)号:CN104006941A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410188935.7
申请日:2014-05-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种CBGA封装电路恒定加速度测试装置,包括底座、盖板和焊球保护装置,其中底座为板状结构,板状结构的中心位置设置凸起,环绕凸起的四周形成凹槽,底座的一侧边缘向外延伸出垂直于底座的挡板,底座的另外两端形成插槽,盖板为平板结构,通过插槽与底座配合,并与底座一侧的挡板接触,形成一端开口的空腔结构,用于放置CBGA封装电路;焊球保护装置包括垫片和胶膜,胶膜贴敷在凹槽底部,垫片粘贴在胶膜上,用于对CBGA封装电路上的焊球进行保护,该测试装置实现了CBGA封装电路带球进行加速度测试,在恒定加速度中有效解决夹具和CBGA焊球之间的挤压带来的焊球损伤问题。
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公开(公告)号:CN103056500A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210516162.1
申请日:2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法,属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层,在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框;将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上;在氮气气氛下,将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位,利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接,使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接,完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中,脉冲过大,局部集中加热温度过高的问题;避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中;降低了平行缝焊的最高温度。
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公开(公告)号:CN119252799A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411125154.3
申请日:2024-08-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于分立器件封帽的技术领域,具体涉及了一种超小尺寸分立器件外壳的封帽装置及封帽方法,旨在解决固定钢夹的过程中由于人工操作导致的钢夹轻微振动可能造成盖板偏移及盖板表面划伤的问题。本发明包括底座、配重支撑板以及配重杆;底座与配重支撑板连接在一起;底座上开设有多个均匀布置的外壳定位槽,在外壳定位槽的槽底开设有盖板定位槽;配重支撑板布置在底座上侧,配重支撑上开设有多个均匀布置且为通孔的布置孔;每个安装孔中可以安装一个配重杆;配重杆在安装时,下端插入布置孔中;底座上外壳定位槽的中心、配重支撑板上布置孔的中心、压板上安装孔的中心对齐。本发明能够避免在外壳、盖板固定过程中的产生的偏移、划伤问题。
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公开(公告)号:CN113921506A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202111014996.8
申请日:2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种用于叠层封装的临时悬空结构,由N层子悬空结构构成,N为待粘接的芯片层数,第1层子悬空结构布置在第1层芯片和外壳之间,第i层子悬空结构布置在第i‑1层芯片和第i层芯片之间,i=2,3,……N;所述第1层芯片为底层芯片;每层子悬空结构包括多个限位球,限位球的上下表面涂覆有UV胶,芯片通过UV胶粘接在限位球上,实现临时悬空支撑。本发明同时公开了该临时悬空结构的制作方法。本发明可实现叠层封装芯片的多次拆卸返工,有效减少芯片的浪费,节约了时间和成本。
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公开(公告)号:CN112635385A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN202011529470.9
申请日:2020-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法,属于集成电路芯片减薄技术领域,所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法,利用本发明中的特制工装及方法,可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄,突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题;通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化,提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率,避免“盲减”时,受限于操作人员经验,致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生;利用本发明中的特制工装及方法,可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄,方法简单实用、易于实现,可操作性强。
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公开(公告)号:CN107146772A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201710201163.X
申请日:2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/3043
Abstract: 本发明公开了一种降低测试图形对划片质量影响的切割方法,该方法先利用宽度较厚、转速较慢的第一划片刀对晶圆划片道上的测试图形进行划切,再利用宽度较窄、转速较快的第二划片刀对晶圆进行划切。采用该方法可以有效的切除晶圆划片道上的测试图形,避免了划切测试图形过程中出现的晶圆崩缺现象,同时降低了集成电路内部产生多余物的风险,且工艺成本低廉,应用范围广泛。
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公开(公告)号:CN106206380A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610743403.4
申请日:2016-08-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67121
Abstract: 一种集成电路管壳引腿修复装置及方法,属于集成电路封装工艺领域,其特点在于:将待修复电路放在电路装卡底座上,通过固定连杆及固定压块将电路固定,将引腿修复齿槽放入待修复电路引腿中,将引腿修复盖板与引腿修复齿槽对齐,用力按压3-5秒,然后将引腿修复盖板沿电路引腿方向向外缓慢移动,直至与电路引腿完全分离,完成引腿变形电路的修复,本发明有效的提高了电路引腿修复效率和修复质量,降低了引腿修复成本,保证成形后的电路引腿满足使用要求。
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公开(公告)号:CN118630028A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410531021.X
申请日:2024-04-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种用于大尺寸传感器芯片高平面度粘片结构的制作方法,包括:在芯片粘接区均匀涂抹助焊剂,将定位球放置在芯片粘接区;将限位片按照设计规定位置进行贴装,将定位球与芯片粘接区进行焊接;将焊接后得到的器件进行清洗和烘干,将助焊剂清洗干净,随后剥离限位片;在设计规定位置放置芯片,将芯片四角分别与芯片粘接区粘接,并在施加一定压力P的状态下进行快速固化;沿着芯片任一方向的边缘位置使用胶头进行填胶,直至芯片底部充满胶液;在芯片上方施加一定质量的压块,然后按照所填胶液的工艺说明书进行固化。本发明所述方法能够有效控制大尺寸芯片的粘片平面度,粘片平面度≤20μm,远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号:CN117790332A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311808917.X
申请日:2023-12-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L21/50 , B23K31/02 , H01L21/60 , B23K101/40
Abstract: 本发明涉及一种气密性系统级封装元件表贴方法及封装元件,涉及半导体封装技术领域。包括:对外壳进行清洗,使得外壳表面的焊盘洁净;将焊料放置于所述焊盘表面,将待封装元件贴放结构放置于焊料上方,得到装配好的产品;焊料为无助焊剂固态焊料;将装配好的产品放入共晶烧结设备中,按照共晶焊接工艺曲线,在氮气或真空气氛下进行共晶焊接,得到封装元件。采用固态无助焊剂焊料,在真空或氮气气氛下通过共晶焊接工艺实现元件表贴,避免了常规回流焊接工艺因清洗残留助焊剂或免清洗焊料的助焊剂残留而引入的水汽超标问题,降低了系统级封装产品内部元件因化学腐蚀及电化学腐蚀导致的电性能失效风险,从而实现系统级封装产品气密性封装。
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