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公开(公告)号:CN107146772A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201710201163.X
申请日:2017-03-30
申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号: H01L21/78 , H01L21/304
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/3043
摘要: 本发明公开了一种降低测试图形对划片质量影响的切割方法,该方法先利用宽度较厚、转速较慢的第一划片刀对晶圆划片道上的测试图形进行划切,再利用宽度较窄、转速较快的第二划片刀对晶圆进行划切。采用该方法可以有效的切除晶圆划片道上的测试图形,避免了划切测试图形过程中出现的晶圆崩缺现象,同时降低了集成电路内部产生多余物的风险,且工艺成本低廉,应用范围广泛。