公开(公告)号：CN103765596A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280039028.5

申请日：2012-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  江端一晃 ,  笘井重和 ,  松崎滋夫

IPC: H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其具有高迁移率、高on-off比并且能够有效地制造。本发明提供一种薄膜晶体管(1)，其具有源电极(50)、漏电极(60)及栅电极(20)、栅绝缘膜(30)、由氧化物半导体构成的沟道层(40)，所述沟道层(40)的平均载流子浓度为1×1016/cm3～5×1019/cm3的范围，在所述沟道层(40)的所述栅绝缘膜(30)侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域(42)，所述沟道层(40)实质上具有相同的组成。

公开(公告)号：CN103400751A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310258151.2

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C23C14/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN103354241A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310258582.9

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN119605327A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380055651.8

申请日：2023-07-27

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H10D30/01

Abstract: 氧化物半导体膜，其为设置在基板之上的包含多个晶粒的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含：铟(In)；和选自由铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)、钪(Sc)及镧系元素组成的组中的第1金属元素，多个晶粒包含通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的相邻的2个测定点的晶体取向差超过5°时所定义的晶界，通过EBSD法算出的KAM值的平均值为1.0°以上。通过EBSD法算出的晶界取向变化的平均值可以为40°以下。

公开(公告)号：CN119234318A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041551.X

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构(10)，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)具有1个以上的如下区域：稀有气体浓度处于0.5at％以上且小于5at％的范围内并且在膜厚方向上以3nm以上连续的区域。

公开(公告)号：CN118872074A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380025339.4

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社日本显示器 ,  出光兴产株式会社

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  川嶋绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(In)元素和选自由铝(Al)元素、镓(Ga)元素、钇(Y)元素、钪(Sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(M1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。

公开(公告)号：CN118103994A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068589.1

申请日：2022-10-12

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地 ,  山口幸士 ,  岩瀬信博

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/66 ,  H01L29/417

Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，在晶体氧化物薄膜的面方向上，具有由扫描型扩展电阻显微镜(SSRM)测量的扩展电阻值不同的低电阻区域A与高电阻区域B，高电阻区域B的扩展电阻值为低电阻区域A的扩展电阻值的8倍以上。

公开(公告)号：CN115340360A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202211043880.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  井上一吉 ,  江端一晃 ,  柴田雅敏 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  石原悠

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。

公开(公告)号：CN108475702A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680075286.7

申请日：2016-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 上冈义弘 ,  关谷隆司 ,  笘井重和 ,  川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  竹岛基浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 一种层叠体，其中，依次具有基板、选自接触电阻降低层和还原抑制层中的1层以上的层、肖特基电极层和金属氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN103732790B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280039725.0

申请日：2012-09-06

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  松崎滋夫 ,  霍间勇辉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。