公开(公告)号：CN100411111C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510082192.6

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0-2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101021410A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710005974.9

申请日：2007-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  田中仁子

IPC: G01B11/00 ,  G01B11/02 ,  G01B11/30 ,  G01C3/06 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/306

Abstract: 一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤(S1)、最佳配合面计算步骤(S5)以及翘曲计算步骤(S6)。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤(S1)之后和最佳配合面计算步骤(S5)之前还可以包括：噪声去除步骤(S2)和外周边部分去除步骤(S3)；外周边部分去除步骤(S3)和平滑步骤(S4)；或噪声去除步骤(S2)、外周边去除步骤(S3)以及平滑步骤(S4)。由此，可以提供一种测量衬底的后表面翘曲的方法，该衬底的后表面具有高表面粗糙度。

公开(公告)号：CN1819885A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200380110412.0

申请日：2003-11-12

Applicant: 联合材料公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 风早克夫 ,  河合成宜 ,  松本宁 ,  石桥惠二 ,  今井贵浩

IPC: B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23C5/16 ,  B23P15/28 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/27 ,  B23G5/06 ,  B23G2200/26 ,  B23G2225/08 ,  B23G2225/16 ,  B23G2225/28 ,  C23C16/0218 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种切削性能、耐磨性、耐溶敷性、加工表面粗糙度良好的金刚石膜被覆工具及其制造方法。金刚石膜被覆工具，是在基材的表面上覆盖金刚石的膜的金刚石膜被覆工具，其中，所述基材是超硬合金或金属陶瓷，构成所述金刚石膜的成长表面的金刚石结晶颗粒的平均颗粒直径在1.5μm以下，所述金刚石膜的厚度在0.1μm以上20μm以下，所述金刚石膜的平均表面粗糙度用Ra表示在0.01μm以上0.2μm以下。通过对由超硬合金或金属陶瓷构成的基材进行渗碳处理，使金刚石膜成长来得到这样的金刚石膜被覆工具。

公开(公告)号：CN105755534B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201610140263.1

申请日：2012-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供一种衬底、半导体器件及其制造方法。所述衬底具有前表面和背表面，在所述衬底中，所述前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述衬底具有：不大于0.5nm的、在所述前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大于0.2nm；小于0.3nm的、在所述背表面处的表面粗糙度Ra的平均值；以及不小于110mm的所述前表面的直径。

公开(公告)号：CN108336127A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810200232.X

申请日：2012-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L21/04 ,  H01L21/329 ,  B28D5/04

CPC classification number: H01L29/36 ,  B28D5/045 ,  H01L21/046 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法。能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子％以上且30原子％以下的比率存在。

公开(公告)号：CN104114755A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009719.5

申请日：2013-02-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B31/04 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/812

Abstract: 一种碳化硅衬底(1)具有第一主面(1A)和面对第一主面(1A)的第二主面(1B)。包含第一主面(1A)和第二主面(1B)中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在该主面中的一个上，硫原子以60×1010原子/cm2到2000×1010原子/cm2的范围存在，作为杂质的碳原子以3at％到25at％的范围存在。由此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底、使用该碳化硅衬底的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103608498A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280030621.3

申请日：2012-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/36 ,  B28D5/045 ,  H01L21/046 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子%以上且30原子%以下的比率存在。

公开(公告)号：CN1896343B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1-d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10-3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X-射线衍射条件的同时通过改变X-射线从晶体表面的穿透深度来进行X-射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X-射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X-射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1-d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN102471931A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029429.3

申请日：2010-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/30 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30621 ,  H01L24/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积，可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此，能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻，同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此，能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。

公开(公告)号：CN101548400B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1-XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1-XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。