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公开(公告)号：CN101021410A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005974.9
申请日：2007-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01B11/306
Abstract: 一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤(S1)、最佳配合面计算步骤(S5)以及翘曲计算步骤(S6)。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤(S1)之后和最佳配合面计算步骤(S5)之前还可以包括：噪声去除步骤(S2)和外周边部分去除步骤(S3)；外周边部分去除步骤(S3)和平滑步骤(S4)；或噪声去除步骤(S2)、外周边去除步骤(S3)以及平滑步骤(S4)。由此，可以提供一种测量衬底的后表面翘曲的方法，该衬底的后表面具有高表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN102492992A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110393913.0
申请日：2007-02-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 田中仁子
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: C30B25/20 , C30B29/40 , G01B11/30 , H01L21/02005 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/30612 , H01L21/30617 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供一种GaN晶体衬底及其制造方法。所述GaN晶体衬底包括：晶体生长表面；以及与所述晶体生长表面相对的后表面，所述后表面具有满足-35μm≤w(R)≤45μm的翘曲w(R)，所述翘曲w(R)为如下计算值：在分别对应于由二维方向上的位置数据表示的多个测量点的多个位移值中，从相对于最好配合面的一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离与从相对于所述最好配合面的另一侧上的最大位移值到所述最好配合面的距离的总和。所述晶体生长表面具有满足Ra(C)≤10nm的表面粗糙度Ra(C)。所述GaN晶体衬底具有减小翘曲的后表面，并允许在其晶体生长表面上形成具有良好结晶性的半导体层。
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公开(公告)号：CN101021410B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710005974.9
申请日：2007-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01B11/306
Abstract: 一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤(S1)、最佳配合面计算步骤(S5)以及翘曲计算步骤(S6)。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤(S1)之后和最佳配合面计算步骤(S5)之前还可以包括：噪声去除步骤(S2)和外周边部分去除步骤(S3)；外周边部分去除步骤(S3)和平滑步骤(S4)；或噪声去除步骤(S2)、外周边去除步骤(S3)以及平滑步骤(S4)。由此，可以提供一种测量衬底的后表面翘曲的方法，该衬底的后表面具有高表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN101037807A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710005341.8
申请日：2007-02-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 田中仁子
CPC classification number: C30B25/20 , C30B29/40 , G01B11/30 , H01L21/02005 , H01L21/02019 , H01L21/02024 , H01L21/30612 , H01L21/30617 , H01L33/0075
Abstract: 在GaN晶体衬底(10)中，与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)可以具有满足－50μm≤w(R)≤50μm的翘曲w(R)，满足Ra(R)≤10μm的表面粗糙度Ra(R)以及满足Ry(R)≤75μm的表面粗糙度Ry(R)。此外，一种制造半导体器件(99)的方法包括，制备GaN晶体衬底(10)作为衬底，以及在GaN晶体衬底(10)的晶体生长表面(10c)的侧面上生长至少一个III族氮化物晶体层(20)。由此，提供一种GaN晶体衬底，具有减小翘曲的后表面和允许在其晶体生长表面上形成具有良好结晶性的半导体层，提供一种制造该GaN晶体衬底的方法以及制造半导体器件的方法。
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