公开(公告)号：CN1670916A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510005741.X

申请日：2005-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  中畑成二 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B7/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625

Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。

公开(公告)号：CN110042471A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910130397.9

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN103014866A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210441633.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN101503825B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910007530.8

申请日：2005-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B9/06 ,  C30B13/02 ,  C30B29/403

Abstract: 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。

公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN102137961A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201080002480.5

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/045 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。

公开(公告)号：CN101910477A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102461.7

申请日：2009-01-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。

公开(公告)号：CN101071794B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710102802.3

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN101568671A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001356.X

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  元木健作

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2201 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。