公开(公告)号：CN102790005A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110125592.6

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法，以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的制备方法，采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层，从而可以形成第一晶向的顶层应变硅；采用从窗口直接外延覆盖至第一硬掩膜表面的Si作为连接窗口内第一晶向的应变硅与窗口外顶层硅的支撑，从而可去除第一晶向顶层应变硅下方的SiGe层，填充绝缘材料形成绝缘埋层，且还可以防止顶层硅有应变存在时的应变弛豫。该方法形成的顶层硅和绝缘埋层厚度均匀、可控，窗口内形成的应变硅与窗口外的顶层硅具有不同晶向，可分别为NMOS及PMOS提供更高的迁移率，从而提升了CMOS集成电路的性能。

公开(公告)号：CN104966744B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510394993.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  祝方舟 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。

公开(公告)号：CN102790054B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110126394.1

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  卞剑涛 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/205 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材料。的制备方法包括：制备体硅衬底上的锗半导体层；在锗半导体层上制备III-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和III-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和III-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构来制备包含锗沟道PMOS和III-V沟道NMOS的高性能CMOS器件。

公开(公告)号：CN103165511B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110418133.7

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海涛 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  卞剑涛 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实现GOI材料的制备，且制备出的GOI材料具有高纯度、低缺陷的特点。本方法工艺简单，适合工业生产。

公开(公告)号：CN103632930A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210310702.0

申请日：2012-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  卞剑涛 ,  母志强 ,  狄增峰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，该方法首先在第一衬底上依次外延生长第一单晶薄膜、第一缓冲层、第二单晶薄膜、第二缓冲层以及顶层薄膜，再通过两次离子注入以及键合工艺，最终得到绝缘体上超薄改性材料。所制备的超薄改性材料的厚度范围为5~50nm。本发明通过在不同层的两次离子注入将材料改性和剥离两个过程分开进行，且剥离发生在超薄层，裂纹较小，剥离过程中对顶层薄膜的质量影响较小，可以制备出高质量的绝缘体上超薄改性材料。

公开(公告)号：CN103021848A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110279693.9

申请日：2011-09-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或GOI中，锗组份从50%~100%可控，并且，薄膜厚度可控制在5~20nm，易于器件工艺实现。SiGe或Ge与Si在氧化浓缩过程中，它们之间形成了一个锗组份渐变的锗硅异质结结构，消除缺陷的产生。本发明的制备方法工艺简单，与CMOS工艺兼容，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN102790054A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110126394.1

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  卞剑涛 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/205 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种锗和Ⅲ-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的Ⅲ-V族半导体材料。的制备方法包括：制备体硅衬底上的锗半导体层；在锗半导体层上制备Ⅲ-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和Ⅲ-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构来制备包含锗沟道PMOS和Ⅲ-V沟道NMOS的高性能CMOS器件。

公开(公告)号：CN103632930B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210310702.0

申请日：2012-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  卞剑涛 ,  母志强 ,  狄增峰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，该方法首先在第一衬底上依次外延生长第一单晶薄膜、第一缓冲层、第二单晶薄膜、第二缓冲层以及顶层薄膜，再通过两次离子注入以及键合工艺，最终得到绝缘体上超薄改性材料。所制备的超薄改性材料的厚度范围为5~50 nm。本发明通过在不同层的两次离子注入将材料改性和剥离两个过程分开进行，且剥离发生在超薄层，裂纹较小，剥离过程中对顶层薄膜的质量影响较小，可以制备出高质量的绝缘体上超薄改性材料。

公开(公告)号：CN103820767B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310736927.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 端伟元 ,  邱羽 ,  俞健 ,  卞剑涛 ,  刘正新

IPC: C23C14/58 ,  C23C28/00 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN104966744A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510394993.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  祝方舟 ,  刘正新

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。