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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103820767B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310736927.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103820767A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310736927.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103107212A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310041792.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线，并且其中的金属栅线至少包括：位于所述的透明导电层之上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上面的金属电极，所述的金属电极依次至少包括以下所述多个金属层中一层、两层或三层的组合：金属粘合层、金属传导层和金属焊接层，金属传导层是必须有的。本发明实施例提供了用于异质结太阳电池金属电极的方法，具有低成本，与现有HIT太阳电池制备工艺匹配的特点。
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公开(公告)号：CN103137791B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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公开(公告)号：CN103137791A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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