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公开(公告)号：CN117525197A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008373.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池领域，涉及一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法，所述太阳电池以Ga掺杂p型单晶硅片作为衬底；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的前表面依次设置钝化层和电子收集层；在所述Ga掺杂p型单晶硅片的背表面依次设置钝化层和空穴收集层；在电子收集层和空穴收集层的外表面设置透明导电金属氧化物薄膜；在所述透明导电金属氧化物薄膜的外表面设置金属电极；在所述透明导电金属氧化物薄膜和所述金属电极上覆盖薄膜防护层。本发明具有较强的空间耐受性，包括抗紫外和原子氧，抗高能电子和质子辐照，高低温温度冲击等，能够为卫星、空间站、货运仓提供低成本太阳电池和光伏组件。
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公开(公告)号：CN114361267A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111516756.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。
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公开(公告)号：CN111312859A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010140012.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。
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公开(公告)号：CN103107212A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310041792.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线，并且其中的金属栅线至少包括：位于所述的透明导电层之上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上面的金属电极，所述的金属电极依次至少包括以下所述多个金属层中一层、两层或三层的组合：金属粘合层、金属传导层和金属焊接层，金属传导层是必须有的。本发明实施例提供了用于异质结太阳电池金属电极的方法，具有低成本，与现有HIT太阳电池制备工艺匹配的特点。
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公开(公告)号：CN112271144B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011089582.7
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池耐湿热可靠性的测试方法，包括在太阳能电池表面喷涂钠盐溶液，然后进行耐湿热环境可靠性测试，根据可靠性测试前后的电学参数变化量，确定电池耐湿热可靠性能力。本发明可以快速有效的检验太阳电池耐环境气候的可靠性和稳定性，节约组件湿热可靠性试验时间和组件制作成本，提高耐湿热测试的效率和时效性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113327999B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110671680.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。
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公开(公告)号：CN112239847A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910651231.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备及镀膜方法，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，避免透明导电氧化物薄膜的导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，防止载盘的变形，提高产品质量。本发明实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小镀膜设备的占地面积、避免待镀膜件的翻转、提高产品质量、具有低成本、高稳定性、广泛的应用前景和经济价值。
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公开(公告)号：CN106340570A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610975301.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/67 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可以在不暴露大气的条件下，连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜，获得高速的沉积速率，同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜，且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。
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公开(公告)号：CN104393121A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410581435.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0376 , H01L31/028
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/208 , H01L31/028 , H01L31/03765 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN119397743A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411388403.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F17/18 , H02S50/10 , G06F111/08 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种光伏组件寿命预测方法、设备及介质，其中，方法包括：采用阿伦乌斯公式计算光伏组件的活化能；对所述光伏组件进行紫外加速老化试验，得到紫外老化后光伏组件的特征数据；将紫外辐照度纳入Peck模型，并根据所述活化能和紫外老化后光伏组件的特征数据计算所述Peck模型中与湿热条件相关联的影响因子和与紫外老化相关联的影响因子，得到Peck方程；基于所述Peck方程构建Wiener衰减模型，并利用Wiener衰减模型预测所述光伏组件的寿命。本发明能够更加符合光伏组件户外运行的环境特性，同时考虑多种环境物理参数。
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