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公开(公告)号：CN119397743A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411388403.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F17/18 , H02S50/10 , G06F111/08 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种光伏组件寿命预测方法、设备及介质，其中，方法包括：采用阿伦乌斯公式计算光伏组件的活化能；对所述光伏组件进行紫外加速老化试验，得到紫外老化后光伏组件的特征数据；将紫外辐照度纳入Peck模型，并根据所述活化能和紫外老化后光伏组件的特征数据计算所述Peck模型中与湿热条件相关联的影响因子和与紫外老化相关联的影响因子，得到Peck方程；基于所述Peck方程构建Wiener衰减模型，并利用Wiener衰减模型预测所述光伏组件的寿命。本发明能够更加符合光伏组件户外运行的环境特性，同时考虑多种环境物理参数。
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公开(公告)号：CN111640815A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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公开(公告)号：CN111403554A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010226291.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明涉及一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1，分别提供金属化复合膜和太阳电池芯片，其中，在铜丝上包覆低温合金以得到导电细丝，然后通过复合膜支撑导电细丝来得到金属化复合膜，其中，太阳电池芯片具有导电层；S2，将金属化复合膜铺设在太阳电池芯片的导电层上，通过热压使金属化复合膜和导电层形成欧姆接触通路，得到太阳电池。本发明还提供由上述制备方法得到的太阳电池。根据本发明的制备方法，完全省去了传统丝网金属化技术所消耗的银浆成本，在保持量产效率和成品率的前提下可减少传统金属化电极遮挡损伤和金属化烧结损耗，使太阳电池的光电转化效率最大化。
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公开(公告)号：CN114361267B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111516756.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。
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公开(公告)号：CN111640815B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116435403A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310175757.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理；清洗。该方法使单晶硅片的侧面和边缘部分正面、背面的金字塔，菱角，突刺和凹槽的峰和谷变圆滑，而硅片其他区域的金字塔结构维持不变，不改变表面反射率，可以使得单晶硅片具有柔性的特征，从而提高力学性能。
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公开(公告)号：CN113327999A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110671680.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。
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公开(公告)号：CN112382685A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011203114.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/056 , H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种双面超薄硅基异质结太阳电池柔性光伏组件及制备方法，自上而下包括高透光柔性表面窗口层(201)、第一封装胶膜层(202)、超薄柔性SHJ太阳电池阵列(203)、高反射背膜层(204)、第二封装胶膜层(205)和超轻柔性背板(206)。本发明具有效率高、重量轻、弯曲特性好、可靠性高等特点，特别适合在柔性微能源系统、新能源汽车、太阳能无人机和飞艇等空间飞行器上应用。
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公开(公告)号：CN111668349A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910168488.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备，方法包括依次形成堆叠设置的第一透明导电氧化物缓冲层及第一透明导电氧化物主导层；依次形成堆叠设置的第二透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物主导层；其中，第一透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物缓冲层采用射频磁控溅射源制备，第一透明导电氧化物主导层及第二透明导电氧化物主导层采用直流磁控溅射源制备；所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。
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公开(公告)号：CN111435693A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811601967.X
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法，制备方法包括制备非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；制备透明导电氧化物薄膜以覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；形成金属电极；形成覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本发明通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。
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