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公开(公告)号：CN112599645A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011379359.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113140640B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110413537.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜，第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上，第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN111640815B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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公开(公告)号：CN113140640A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110413537.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜，第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上，第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
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公开(公告)号：CN112599645B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011379359.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN111640815A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010476722.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法，包括：提供一经过制绒清洗得到的表面清洁的柔性晶体硅衬底；在柔性衬底的相对两侧分别沉积非晶硅薄膜钝化层；在非晶硅薄膜钝化层上分别沉积第一TCO薄膜形成第一受光面和具有增强的红外波段光谱响应的背反射复合薄膜形成第二受光面，其中，背反射复合薄膜由第二TCO薄膜和金属纳米颗粒构成；在第一TCO薄膜和背反射复合薄膜上分别形成金属栅极。本发明利用第二受光面中不同分布的金属纳米颗粒的表面等离子体激元效应增强红外波段的光谱响应，克服柔性硅异质结太阳电池由于基底厚度不足引起的红外区域光谱响应差的缺点，有效提升柔性硅异质结太阳电池的短路电流和转换效率。
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