公开(公告)号：CN112599645A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011379359.6

申请日：2020-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  李振飞 ,  姚宇波

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。

公开(公告)号：CN111952381A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010858366.8

申请日：2020-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  刘正新 ,  张丽平 ,  李振飞 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  伍小琼

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。

公开(公告)号：CN111952381B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202010858366.8

申请日：2020-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  刘正新 ,  张丽平 ,  李振飞 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  伍小琼

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。

公开(公告)号：CN112599645B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202011379359.6

申请日：2020-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  李振飞 ,  姚宇波

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0747

Abstract: 本发明提供一种硅异质结太阳电池的制备工艺，包括：步骤101：硅片清洗；步骤102：非晶硅沉积；步骤103：TCO薄膜沉积；步骤104：丝网印刷；步骤105：丝网印刷后退火；还包括在步骤103和步骤104之间增加的步骤106：丝网印刷前退火，该步骤106的退火温度为170～220℃，时间为30～60min，退火气氛为空气。根据本发明提供的硅异质结太阳电池的制备工艺相比现有技术特别地增加了一步退火工艺，这一步骤安排在TCO薄膜沉积之后，丝网印刷之前，该退火工艺的增加既实现了硅异质结太阳电池的填充因子的提升，又保证了电极与焊带之间形成良好的力学接触，保障了整体组件的长期可靠性。

公开(公告)号：CN112267105A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011062480.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  张丽平 ,  刘正新 ,  黄圣磊 ,  李晓东

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/44 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，该硅异质结太阳电池包括本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，该单腔PECVD沉积工艺包括在同一PECVD沉积腔室中沉积本征非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜，其中，在沉积掺杂硅薄膜之后通过氧化性等离子体对PECVD沉积腔室进行后处理，以利用氧化性等离子体产生的氧化性粒子钝化附着在PECVD沉积腔室上的掺杂原子使其失去活性以避免交叉污染。根据本发明的用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺，引入氧化性等离子体，实现了对PECVD沉积腔室的沉积腔壁上残余掺杂原子的钝化作用，有效避免了不同硅薄膜沉积之间的交叉污染，而且能够获得很高的光电转换效率。