公开(公告)号：CN111952381B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202010858366.8

申请日：2020-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  刘正新 ,  张丽平 ,  李振飞 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  伍小琼

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。

公开(公告)号：CN111952381A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010858366.8

申请日：2020-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘文柱 ,  刘正新 ,  张丽平 ,  李振飞 ,  黄圣磊 ,  李晓东 ,  伍小琼

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。