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公开(公告)号：CN111312859B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010140012.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法，其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜，通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围，在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜，重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法，能够提高硅基薄膜的掺杂效率，对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。
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公开(公告)号：CN105742412A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610273996.2
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/0322 , H01L31/0323
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法，所述掺入方法至少包括：提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层，配置含有碱金属离子的溶液，采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面，并将所述吸收层放置于热处理炉中，往所述热处理炉中通入惰性气体或硒化氢和惰性气体的混合气体，升温至设定的温度，以使碱金属离子扩散进所述吸收层。本发明的碱金属掺入方法可在吸收层表面产生原子排空，促进缓冲层CdS中的Cd原子扩散进吸收层表面形成浅埋PN结，减少载流子在吸收层/缓冲层的界面层复合，提高开路电压，提高电池转换效率。本发明所提供的制备方法简单可控，无需昂贵的真空镀膜设备，与常规艺兼容性好，碱金属材料利用率高，成本低。
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公开(公告)号：CN112271144B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011089582.7
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池耐湿热可靠性的测试方法，包括在太阳能电池表面喷涂钠盐溶液，然后进行耐湿热环境可靠性测试，根据可靠性测试前后的电学参数变化量，确定电池耐湿热可靠性能力。本发明可以快速有效的检验太阳电池耐环境气候的可靠性和稳定性，节约组件湿热可靠性试验时间和组件制作成本，提高耐湿热测试的效率和时效性。
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公开(公告)号：CN113327999B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110671680.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。
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公开(公告)号：CN117059688A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310925359.9
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种整形焊带、光伏组件及整形模具，整形焊带包括第一连接段和第二连接段，所述第一连接段具有第一成型面，所述第二连接段具有第二成型面，所述第一成型面与所述第二成型面分别位于所述整形焊带的相对的两侧；所述第一成型面上设有至少一个第一容纳槽，所述第二成型面上设有至少一个第二容纳槽。本发明的整形焊带，通过第一容纳槽和第二容纳槽容纳太阳电池的副栅，可避免整形焊带被副栅架空，降低了层压过程中胶膜流动导致的焊带被挤开的风险，以及层压过程中焊带与副栅压力集中导致的碎片风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116435403A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310175757.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法。该制备方法包括：将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理；清洗。该方法使单晶硅片的侧面和边缘部分正面、背面的金字塔，菱角，突刺和凹槽的峰和谷变圆滑，而硅片其他区域的金字塔结构维持不变，不改变表面反射率，可以使得单晶硅片具有柔性的特征，从而提高力学性能。
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公开(公告)号：CN116435396A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310432694.5
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/049 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光伏背板、光伏背板的制作方法及光伏组件，光伏背板包括从内至外依次设置的胶膜层、内保护层、金属薄膜和外保护层，金属薄膜上开设有若干第一预制孔，胶膜层、内保护层和外保护层上开设有与第一预制孔一一对应的若干第二预制孔，第二预制孔贯穿光伏背板，第二预制孔与第一预制孔的中心相同，且第一预制孔的尺寸大于第二预制孔的尺寸；金属薄膜的尺寸小于胶膜层、内保护层和外保护层的尺寸，且金属薄膜的边缘与胶膜层、内保护层和外保护层的边缘之间具有第一间距。本发明的光伏背板、光伏背板的制作方法以及光伏组件，使金属膜缩进胶膜层和内外保护层内，以避免发生短路，提升运行安全性。
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公开(公告)号：CN113327999A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110671680.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面，位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm，金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时，可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积，提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力，减少栅线的遮光面积，可显著提升短路电流Isc；同时可减少银浆耗量，实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度，从而提升设备产能。
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公开(公告)号：CN105914262A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610390568.8
申请日：2016-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/186 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮气吹干。本发明缓冲层后处理工艺可以改善缓冲层表面平整度，减少缓冲层表面絮状物，增加与上层窗口层的接触面积与晶格匹配，减少载流子在缓冲层/窗口层界面的复合，可提高薄膜太阳能电池的短路电流密度1.0?2.0mA/cm2，提高电池转换效率绝对值1?3％。由于浸泡处理所采用的氨水、异丙醇、醋酸铵等本身为常规试剂，可重复利用，工艺成本低、设备简单可靠、操作安全、适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116230787A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310136324.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种边缘抛光的单晶制绒硅片、太阳电池及制备方法。该单晶制绒硅片正面和背面的边缘区域以及硅片的侧面区域不具有金字塔绒面结构，除所述边缘区域和侧面区域以外的其它区域具有金字塔绒面结构。该单晶制绒硅片制备方法包括：腐蚀抛光；形成掩膜；制绒；将掩膜去除。该硅片或电池片的边缘没有金字塔状的绒面结构，是比较光滑的结构，当硅片或电池片受到弯折、震动、热冲击时，能有效避免产生应力集中，因此提高了硅片或电池片的机械强度，降低生产过程中硅片发生碎裂的几率，提高电池片、电池组件产品的可靠性。
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