公开(公告)号：CN107623046A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710740745.5

申请日：2017-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王宪 ,  韩安军 ,  韦小庆 ,  黄勇亮 ,  刘正新

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值。

公开(公告)号：CN106449862A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610573931.X

申请日：2016-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海龙 ,  孟凡英 ,  黄勇亮 ,  韦小庆

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0322

Abstract: 本发明提供一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括步骤：1）以铜盐、锌盐、锡盐、硫脲四种化合物为原料，按原子比Cu/(Zn+Sn)=0.7~1，Zn/Sn=1~1.2的比例溶解于有机溶剂中形成铜锌锡硫溶液；2）将所述铜锌锡硫溶液旋涂于基底；3）于200℃~300℃下进行预退火制成铜锌锡硫薄膜；4）将所述铜锌锡硫薄膜放入退火腔室，于500℃~600℃下进行后退火。本发明可有效解决铜锌锡硫高温分解的问题，成膜后的金属比例与前驱体溶液比例一致，可以轻松获得理想的贫铜富锌金属比例。本发明可以提高了薄膜的结晶度，有利于铜锌锡硫太阳电池效率的提升；本发明可有效避免污染问题，并节约生产成本，具有实用价值，因充入氮气的初始压强可控，可实现不同压强对成膜影响的研究，具有重要意义。

公开(公告)号：CN105742412A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610273996.2

申请日：2016-04-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩安军 ,  柳效辉 ,  黄勇亮 ,  王宪 ,  吴敏 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323

Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法，所述掺入方法至少包括：提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层，配置含有碱金属离子的溶液，采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面，并将所述吸收层放置于热处理炉中，往所述热处理炉中通入惰性气体或硒化氢和惰性气体的混合气体，升温至设定的温度，以使碱金属离子扩散进所述吸收层。本发明的碱金属掺入方法可在吸收层表面产生原子排空，促进缓冲层CdS中的Cd原子扩散进吸收层表面形成浅埋PN结，减少载流子在吸收层/缓冲层的界面层复合，提高开路电压，提高电池转换效率。本发明所提供的制备方法简单可控，无需昂贵的真空镀膜设备，与常规艺兼容性好，碱金属材料利用率高，成本低。

公开(公告)号：CN105914262A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610390568.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 柳效辉 ,  韩安军 ,  王宪 ,  黄勇亮 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池缓冲层后处理工艺，包括：提供表面形成有吸收层的薄膜太阳能电池，配置反应溶液，采用化学水浴法将所述反应溶液沉积于所述吸收层表面形成缓冲层，之后将所述缓冲层置于水溶液中进行浸泡处理，最后取出，用氮气吹干。本发明缓冲层后处理工艺可以改善缓冲层表面平整度，减少缓冲层表面絮状物，增加与上层窗口层的接触面积与晶格匹配，减少载流子在缓冲层/窗口层界面的复合，可提高薄膜太阳能电池的短路电流密度1.0?2.0mA/cm2，提高电池转换效率绝对值1?3％。由于浸泡处理所采用的氨水、异丙醇、醋酸铵等本身为常规试剂，可重复利用，工艺成本低、设备简单可靠、操作安全、适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN107623046B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710740745.5

申请日：2017-08-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王宪 ,  韩安军 ,  韦小庆 ,  黄勇亮 ,  刘正新

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述铜铟镓硒吸收层进行刻蚀，以对所述铜铟镓硒吸收层进行表面改性；清洗刻蚀后的铜铟镓硒吸收层，以得到处理后的铜铟镓硒吸收层。通过上述方案，本发明的方法可以修饰铜铟镓硒吸收层的表界面，优化铜铟镓硒吸收层的表面特性，促进浅埋PN结的纵深扩展；减少载流子在缓冲层/吸收层界面处的复合，可提高铜铟镓硒薄膜太阳电池开路电压、提高填充因子以及提高电池转换效率绝对值。