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公开(公告)号：CN114582732A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210094480.7
申请日：2022-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/52 , H01L23/053
Abstract: 本发明提供一种陶瓷外壳的封装方法及陶瓷外壳，其中，陶瓷外壳的封装方法，包括：提供一陶瓷封装底座，陶瓷封装底座设有一用于器件封装的腔体，在腔体的底部设有多个预设区域；制作与所述预设区域的形状相匹配的低电阻薄片，且低电阻薄片上的镀层的厚度与预设区域对低电阻薄片的镀层厚度要求相匹配；在陶瓷封装底座的预设区域固定对应的所述低电阻薄片，并贴装、键合拟封装的电子元器件；将陶瓷封装底座进行盖板密封。本发明提供的陶瓷外壳的封装方法，制作工艺简单，加工方便。
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公开(公告)号：CN114242665A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111455958.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/15 , H01L23/58 , H01L23/49 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种基于BGA焊球的差分传输结构，属于陶瓷封装技术领域，包括：HITCE上基板；两条间隔设置的上差分传输线，均自HITCE上基板的上表面贯穿至下表面，且在HITCE上基板的上表面形成上测试点；HITCE下基板，与HITCE上基板层叠设置；两条间隔设置的下差分传输线，均自HITCE下基板的上表面在HITCE下基板的厚度方向折弯延伸，并从HITCE下基板的上表面穿出形成下测试点；信号传输焊球，设于HITCE上基板和HITCE下基板之间，上差分传输线和下差分传输线通过信号传输焊球连接；以及多个接地焊球，绕信号传输焊球设置，且与HITCE上基板和HITCE下基板中的回流地层连接。
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公开(公告)号：CN113517234A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110790150.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/367 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷外壳、陶瓷封装结构及微系统。陶瓷外壳包括陶瓷壳体，该陶瓷壳体具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设有气密性封装区和和非气密性封装区，在所述非气密性封装区设有圆形的倒装焊盘，所述第二表面设有气密性封装区以及引线；所述气密性封装区由可伐金属焊环围合而成，且在气密性封装区内设有芯片安装区和/或元器件安装区，所述芯片安装区为用于安装键合类芯片的多层腔体结构。本发明陶瓷外壳，可以在第一表面和第二表面安装多种器件和芯片，可以通过气密性封装区保证普通键合芯片的气密性要求，非气密性封装区可以安装倒装芯片，可以满足大功耗的倒装芯片的散热要求，有利于实现小型化和高集成度。
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公开(公告)号：CN118335625A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410461675.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , C04B41/61 , H01L23/055 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷外壳的制备方法及陶瓷外壳，属于陶瓷封装技术领域，本发明提供的方法包括流延制作陶瓷阻焊层，并在陶瓷阻焊层上按照预设焊盘图形位置制作隔离窗口；将陶瓷阻焊层与所述陶瓷片叠片层压形成陶瓷外壳；或者，在需要制作阻焊的陶瓷片上采用丝网印刷印制陶瓷阻焊图形形成隔离窗口，然后叠片层压形成陶瓷外壳；在隔离窗口内制作植球焊盘，并使植球焊盘不凸出于陶瓷阻焊层的表面；在隔离窗口内的焊盘上植球，并使植球部分沉于隔离窗口内。本发明提供的陶瓷外壳，通过增加陶瓷阻焊层，可有效限制焊料/焊膏的流散，提高装配互连可靠性；可大幅减小装配安全间距，实现高密度集成。
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公开(公告)号：CN117062358A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310954052.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种电源模块的陶瓷封装外壳及其制备方法，该方法包括：制备多层共烧结构的陶瓷基板；在陶瓷基板表面活性焊接第一铜层；图形化刻蚀第一铜层，制备得到电路图形；采用电镀工艺，在电路图形上电镀第二铜层，制备得到电源模块的陶瓷封装外壳，其中，第二铜层的厚度大于第一铜层的厚度。本发明通过在陶瓷基板上先活性焊接较薄的第一铜层，刻蚀出电路图形，再电镀较厚的第二铜层。先在较薄铜层上刻蚀电路图形、再在刻蚀后的电路图形上电镀较厚铜层，减少了侧面刻蚀量、减少了电路图形失真、提升了图形线宽精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115323466A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210963583.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷焊盘阵列外壳的电镀装置及电镀方法。该电镀装置包括装置主体，装置主体的上表面的边缘区域固定连接有多个凸台结构，多个凸台结构共同围绕的上表面区域安装有多个弹簧针；其中，处于自由状态下的弹簧针的针头上表面高于凸台结构的台阶的上表面，处于完全收缩状态下的弹簧针的针头上表面低于凸台结构的台阶的上表面；在电镀装置容纳陶瓷焊盘阵列外壳的情况下，凸台结构的台阶支撑陶瓷焊盘阵列外壳，多个弹簧针与陶瓷焊盘阵列外壳的多个焊盘一一对应接触；装置主体还包括电镀接口结构，电镀接口结构通过装置主体与弹簧针电导通。本发明能够对无电镀线的陶瓷焊盘阵列外壳进行电镀。
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公开(公告)号：CN118391704A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410614149.2
申请日：2024-05-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: F23Q3/00
Abstract: 本发明提供了一种脉冲点火器用陶瓷封装结构及制备方法，属于芯片技术领域，所述脉冲点火器用陶瓷封装结构包括外壳以及设于所述外壳内部的第一陶瓷壳体、第二陶瓷壳体以及第三陶瓷壳体，所述第一陶瓷壳体、所述第二陶瓷壳体以及所述第三陶瓷壳体从下至上依次连接，所述第三陶瓷壳体垂直于所述第二陶瓷壳体，所述外壳的顶部设有放电口，所述第三陶瓷壳体的顶部设有与所述放电口对应的放电针，所述第一陶瓷壳体底部设有与所述充电口对应的充电针；所述第一陶瓷壳体上设有转接电路以及设于顶部的第一焊盘组，所述第二陶瓷壳体上设有低压充电电路以及位于顶部和底部的第二焊盘组，所述第三陶瓷壳体上设有高压充电电路以及位于左右两侧的第三焊盘组。
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公开(公告)号：CN118280953A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410244125.2
申请日：2024-03-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种具有高板级可靠性的多层陶瓷外壳及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括，陶瓷基板，在陶瓷基板的背面阵列有焊盘底盘，焊盘底盘的表面依次设置有镀铜层、镀镍层和镀金层，构成焊接植球的焊盘，焊盘的周围设置有阻焊层，焊盘的下表面凸伸在阻焊层的外面。本发明提供的具有高板级可靠性的多层陶瓷外壳，焊盘采用了镀铜结构，利用金属铜屈服应力较低，容易发生弹塑性变形的特点，可以及时释放掉互连结构中因热循环过程而产生的热应力，使得器件焊点在温度循环过程中的抗剪切能力大大增强，同时通过增加阻焊层及调整加工顺序对焊盘的微观形貌进行了优化，从而提高了CBGA器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117878067A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410053408.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种对芯片具有缓冲和散热功能的盖板结构，属于芯片封装技术领域，包括盖板本体和缓冲构件，盖板本体设于熔接环上端且适于封盖腔室，盖板本体与芯片之间形成空隙；缓冲构件连接于盖板本体下端，盖板本体设于熔接环上端时缓冲构件位于腔室内部，缓冲构件下端与芯片上端抵接，缓冲构件具有弹性，缓冲构件用于弹性推顶芯片向靠近陶瓷外壳上端方向，以形成对芯片的缓冲保护；缓冲构件为导热材料制成，芯片产生的热量通过缓冲构件传导给盖板本体，缓冲构件形成对芯片的散热通道。本发明提供的一种对芯片具有缓冲和散热功能的盖板结构，具有能对芯片起到缓冲功能和散热功能，防止芯片受损伤和影响散热的技术效果。
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公开(公告)号：CN117747581A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311466004.4
申请日：2023-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种成型引线、信号传输结构和CQFP封装结构。该成型引线包括：第一引线、第二引线和第三引线；第一引线用于焊接至CQFP封装结构内的陶瓷基体上；第一引线的一端连接第二引线的一端，第二引线的另一端连接第三引线的一端；第三引线用于焊接至PCB板上；第二引线的宽度大于第一引线的宽度以及第三引线的宽度。本发明能够提升CQFP封装结构的信号传输性能。
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