公开(公告)号：CN108183068A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711293037.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野要平 ,  川上真一路 ,  榎本正志 ,  盐泽崇博 ,  吉田圭佑 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0043 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。

公开(公告)号：CN221805478U

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202420076098.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 酒田洋司 ,  香月信吾 ,  藤瀬辽平 ,  松山健一郎 ,  高木慎介 ,  岩城浩之 ,  只友浩贵 ,  鬼塚智也

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  H01L21/308

Abstract: 本实用新型提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶圆处理系统(1)具备氮气氛载置部(例如，氮气氛载置部51、53、54、70等)，其设置于第1输送路径和第2输送路径中的至少任一者，用于在气氛气体的氮浓度设定得比空气的氮浓度高的环境中载置晶圆(W)。

公开(公告)号：CN221326934U

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202321848459.8

申请日：2023-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鬼塚智也 ,  川上真一路 ,  源岛久志

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了曝光处理的工件(W)进行加热处理；显影单元(U3)，其对被实施了加热处理的工件(W)的覆膜进行显影处理；以及作为气体接触部的气体供给单元(U6)，在从曝光处理之后起到进行显影处理之前的期间，该气体供给单元(U6)使覆膜与非活性气体接触。