公开(公告)号：CN101313390A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043791.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  汤浅珠树 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心导体形成为筒状，上述中心导体的内径(D1)在第一规定值以上，上述同轴波导管的外侧导体也形成为筒状，上述外侧导体的内径的半径(r1)与上述中心导体的外径的半径(r2)之比(r1/r2)被维持为第二规定值，上述外侧导体的内径(D2)在第三规定值以下。

公开(公告)号：CN100421209C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200480006198.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  小谷光司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

Abstract: 设置第一通道(16)和与第一通道分离的第二通道(19)，且流经第二通道(19)的第二冷却水(18)和第一冷却水(15)进行热交换，其中所述第一通道(16)是利用在温度调节对象中循环的第一冷却水(15)来进行冷却。不需要将第一冷却水(15)储存在固定容量的容器中，且流经相当于冷却器一部分的第一通道(16)的第一冷却水(15)的热量被第二冷却水(18)充分吸收。可迅速响应温度调节对象的负载变动，并在提高温度控制的精度的同时，减少能量的浪费。

公开(公告)号：CN101548364B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200880000772.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西塚哲也 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开(公告)号：CN101647110B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880010423.4

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村刚平 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/32 ,  H01L21/316 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/951

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)形成具有碳和氟的气体的等离子体，和使用等离子体在衬底上形成具有氟掺杂碳膜的内绝缘膜；(b)在所述内绝缘膜上形成金属膜；(c)根据图案蚀刻所述金属膜以形成硬掩模；(d)通过利用所述硬掩模来蚀刻所述氟掺杂碳膜以在所述氟掺杂碳膜中形成凹陷部分；(e)在所述衬底上形成配线材料膜，以利用所述配线材料填充所述凹陷部分；(f)将在所述氟掺杂碳膜上过量部分的所述配线材料和所述硬掩模移除，以暴露出所述氟掺杂碳膜的表面；和(g)移除在所述氟掺杂膜表面上形成的氧化物。

公开(公告)号：CN101548368A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200780044435.4

申请日：2007-11-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊地良幸 ,  小林保男 ,  川村刚平 ,  野沢俊久 ,  石川拓

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Si(硅)的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在3.3以下的较低值的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜。因而在将该非晶碳膜用作构成半导体装置的膜的情况下，膜脱落等不良情况被抑制。

公开(公告)号：CN101675279B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880014944.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久

IPC: F16K3/18 ,  F16K3/00 ,  F16K3/02 ,  F16K3/04 ,  F16K27/04 ,  F16K51/02

CPC classification number: F16K3/06

Abstract: 本发明公开了一种设置在能够使内部保持减压的腔体和对该腔体内进行排气的排气装置之间的阀。该阀具有：包含第一开口和第二开口的第一阀主体，该第一开口和第二开口容许气体在腔体和排气装置之间连通；封闭用阀体，配置在第一阀主体内，与第一阀主体的第二开口离合，以对该第二开口进行开闭；密封部件，设置在封闭用阀体上，在封闭用阀体将第一阀主体的第二开口关闭时，将该第二开口密封；阀退避部，设置在第一阀主体的从第二开口分离的内壁部，在封闭用阀体从该第二开口分离而移动时，从第一阀主体的内部空间对密封部件进行遮蔽；和第一转动轴，转动封闭用阀体，使之能够配置在第一阀主体的第二开口和阀退避部中的一方。

公开(公告)号：CN101861641B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880116223.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  西塚哲也 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。

公开(公告)号：CN102239544A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003487.9

申请日：2010-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩崎征英 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194

Abstract: 等离子体处理装置(31)具备：处理容器(32)；等离子体处理用气体供给部(33)，其对处理容器(32)内供给等离子体处理用的气体；保持台(34)，在其上保持被处理基板(W)；等离子体产生机构(39)，其使处理容器(32)内产生等离子体；气体供给机构(61)，其包括能够移动到成为保持台(34)上方侧的第一位置以及与第一位置不同的第二位置并且能够供给气体的头部(62)，当头部(62)被配置于第一位置时在头部(62)与保持台(34)之间形成的小容积区域中，使成膜气体吸附到被处理基板(W)上。

公开(公告)号：CN101606234B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880004425.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  宫谷光太郎 ,  堀寿靖 ,  广瀬繁和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，是利用等离子体对在基板上形成的添加氟的碳膜进行蚀刻的蚀刻方法，其具有：利用含有氧的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第一阶段、利用含有氟的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第二阶段。

公开(公告)号：CN101861641A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116223.7

申请日：2008-10-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  西塚哲也 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。