公开(公告)号：CN101606234B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880004425.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  宫谷光太郎 ,  堀寿靖 ,  广瀬繁和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，是利用等离子体对在基板上形成的添加氟的碳膜进行蚀刻的蚀刻方法，其具有：利用含有氧的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第一阶段、利用含有氟的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第二阶段。

公开(公告)号：CN101606234A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004425.2

申请日：2008-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野沢俊久 ,  宫谷光太郎 ,  堀寿靖 ,  广瀬繁和

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，是利用等离子体对在基板上形成的添加氟的碳膜进行蚀刻的蚀刻方法，其具有：利用含有氧的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第一阶段、利用含有氟的处理气体的等离子体来进行蚀刻的第二阶段。