公开(公告)号：CN101399189A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810135103.3

申请日：2008-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  西村荣一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种与以往相比可简化工序和降低制造成本、可提高生产率的半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质。上述制造方法包括：成膜工序，在光致抗蚀剂(103)的图形上形成SiO2膜(104)；蚀刻工序，对SiO2膜(104)进行蚀刻，以使仅在光致抗蚀剂(103)的图形的侧壁部残留该SiO2膜；图形形成工序，除去光致抗蚀剂(103)的图形而形成SiO2膜(104)的图形。

公开(公告)号：CN101399188A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810134554.5

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  西村荣一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、控制程序及程序存储介质。与以往相比，能够谋求简化工序和降低制造成本，且能够谋求提高生产率。其中，该半导体装置的制造方法包括在有机膜(102)的图案上形成SiO2膜(105)的成膜工序、以使SiO2膜(105)仅残留在有机膜(102)的图案的侧壁部的方式将其蚀刻的蚀刻工序、和去除有机膜(102)的图案而形成SiO2膜(105)的图案的工序。

公开(公告)号：CN101385128A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005104.X

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  菊地贵伦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197)，臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O3)气体。

公开(公告)号：CN101276739A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086918.7

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  大西正 ,  野中龙 ,  西村荣一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。

公开(公告)号：CN101097865A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126879.4

申请日：2007-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  八田浩一

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种能够选择性地除去氮化膜的基板处理方法。在具有由SiO2构成的热氧化膜(51)和由SiN膜构成的氮化硅膜(52)的晶片(W)中，使将氧气等离子体化后的氧等离子体与氮化硅膜(52)接触，使氮化硅膜(52)变化为一氧化硅膜(54)，向该一氧化硅膜(54)供给HF气体，利用由HF气体生成的氢氟酸选择性地蚀刻一氧化硅膜(54)。

公开(公告)号：CN101042988A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089424.X

申请日：2007-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 一种能够防止给基板的背面造成伤痕的基板处理方法。涂布/显影机(11)利用涂布单元(22c)将光硬化性树脂涂布在晶片(W)的背面上，利用硬化单元(82a)硬化光硬化性树脂，形成树脂保护膜，利用涂布单元(22a)在晶片的表面上涂布正型抗蚀剂。曝光机(12)将紫外线向着抗蚀剂，照射在与规定的掩模图形翻转后的图形相对应的部分上，对抗蚀剂进行曝光处理。显影单元(82a)利用清洗液除去实施过曝光处理的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。蚀刻装置(13)将晶片吸附保持在基座(39)的静电卡盘(49)上，对晶片的背面进行RIE处理。清洗装置(14)利用基板清洗单元(77)等溶解、除去形成在晶片背面上的树脂保护膜。

公开(公告)号：CN107210217B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201680009447.2

申请日：2016-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对磁性层蚀刻的工序，该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中，处理容器内的空间压力设定为1.333Pa以下的压力，静电夹具温度设定为－15度以下的温度，异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。

公开(公告)号：CN106067410B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201610248184.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田原慈 ,  西村荣一 ,  M·巴克拉诺夫 ,  L·张 ,  J-F·德马尔内夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的蚀刻方法。一个实施方式的方法包括：向收纳有具有多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的工序；和在处理容器内生成多孔质膜的蚀刻用的第二气体的等离子体的工序。第一气体由在处理容器内在其上载置有被处理物的载台的温度时具有133.3帕斯卡以下的饱和蒸气压的处理气体组成或包含该处理气体。另外，在供给第一气体的工序中，不生成等离子体，供给至处理容器内的处理气体的分压设定为饱和蒸气压的20％以上的分压。

公开(公告)号：CN107078049A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580049735.6

申请日：2015-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  大秦充敬

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L27/105 ,  H01L28/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

公开(公告)号：CN103219234B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310024535.8

申请日：2013-01-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  小嗣义 ,  山下扶美子

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/3343 ,  H01J2237/3348 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，优化通过嵌段共聚物的自组装形成的周期图案的蚀刻条件。对通过能够自组装的嵌段共聚物的第一聚合物和第二聚合物自组装而形成的周期图案进行蚀刻，该蚀刻方法的特征在于包括：向处理室内导入气体的工序；设定高频电源的频率，使得离子能量大量分布在比产生上述第一聚合物的蚀刻产额的离子能量分布小、且为产生上述第二聚合物的蚀刻产额的离子能量分布以上的范围中，从上述高频电源向上述处理室内供给高频电力的工序；和利用上述高频电力由被导入到上述处理室内的气体生成等离子体，使用所生成的等离子体蚀刻载置于载置台的被处理体上的上述周期图案的工序。