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公开(公告)号：CN110957256A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910915946.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。能够在以将基板吸附于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理装置中，容易地更换旋转台中的、与基板接触的部分。基板处理装置具备：旋转台，其具备：底座，其具有设置有至少1个抽吸口的表面；和吸附板，其具有：表面，其与基板的非处理面接触而吸附基板；背面，其与底座的表面接触；以及至少1个贯通孔，其将表面和背面连接；旋转驱动机构，其使旋转台绕旋转轴线旋转；以及抽吸部，其使抽吸力作用于底座的抽吸口，通过使抽吸力作用于所述底座与所述吸附板之间，从而使底座与吸附板密合，且通过使抽吸力经由至少1个贯通孔作用于吸附板与基板之间，从而使吸附板与基板密合。
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公开(公告)号：CN106409670A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597359.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物，从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外，在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层，对该热催化剂层进行了加热。因此，在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时，利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外，在将附着到透光窗的升华物去除时，将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内，在将热催化剂层靠近了透光窗后，加热清洁用基板，从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。
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公开(公告)号：CN101799624B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200910258112.6
申请日：2009-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 水永耕市
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/67109 , H01L21/68707
Abstract: 本发明提供一种在高生产率的系统中削减无用的时间、具有交接基板的功能且迅速将高温基板降温调节至规定温度的基板处理装置。其包括加热处理晶圆(W)的加热处理部、自加热处理部接收由加热处理部加热处理后的晶圆并将其载置于交接部的第1输送臂(A1)、具有自该交接部接收载置于交接部的晶圆并将其输送的板状镊子状构件(34)的第2输送臂(C)，交接部包括：具有载置晶圆的冷却面(11b)的冷却板(11)；设置在冷却板的内部且流通将该冷却板冷却至比加热处理温度低的温度调节水的温度调节流路(16)；设置于冷却板的冷却面并且是比第2输送臂的基板保持部的平面形状稍大的相似形状、而且能够使保持平面相对于冷却面突出、没入的凹部(11a)。
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公开(公告)号：CN101840847B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010140479.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 水永耕市
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种基板热处理装置。其能尽量缩小热处理板的配置空间，从而能够实现装置的小型化，增加基板的收纳数量，并且能提高热介质的流路的自由度以及生产率。该基板热处理装置具有用于载置半导体晶圆(W)且将晶圆热处理到规定温度的热处理板例如冷却板(14)，其中，冷却板(14)具有冷却板主体(64)，该冷却板主体(64)通过利用例如扩散接合方式层叠结合多个由导热材料构成的薄板(1)而成，且形成通过层叠薄板(1)而开设的热介质的供给流路(61a)、排出流路(62a)以及制冷剂流路(63)和吸附用孔(64f)。
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公开(公告)号：CN110957243B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910915948.2
申请日：2019-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供基板处理装置。不给旋转台的旋转带来不良影响就能进行相对于与旋转台一起旋转的电气部件的供电、信号的收发等。具备：旋转台，保持基板并使它旋转；电气部件，设于旋转台并与它一起旋转；第1电极部，设于旋转台并与它一起旋转，第1电极部包括多个第1电极，多个第1电极经由多个第1导电线与电气部件电连接，并以分布于旋转轴线的周围的方式配置；电气设备，进行相对于电气部件的供电、信号的收发等；第2电极部，包括多个第2电极，多个第2电极经由多个第2导电线与电气设备电连接，并设置于分别能够与多个第1电极接触的位置；和电极移动机构，使第1电极部和第2电极部沿着旋转轴线的方向相对移动，而使上述电极部接触、分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112740367B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201980060789.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C18/31 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其包括：将保持基片的旋转台旋转驱动的机构；电加热器，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，对载置于旋转台上的基片进行加热；受电电极，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，且与电加热器电连接；供电电极，其通过与受电电极接触，来经由受电电极对电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使供电电极与受电电极相对地接触和分离；对供电电极供给驱动电功率的供电部；包围旋转台的周围的处理杯状体；对基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为处理液至少将非电解镀覆液供给至处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构和处理液供给机构的控制部。
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公开(公告)号：CN117976574A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410092364.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供气(A)从处于与载置台(210)的热板(211)上的晶圆(W)相同的高度的、闸门构件(250)下端部的空隙(d1)成为水平层流而朝向晶圆(W)供给，供气(B)从处于比晶圆(W)高的位置的闸门构件(250)的上端部的空隙(d2)向热处理空间(S)内供给。供气(A)的流量与供气(B)的流量的流量比是4：1。
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公开(公告)号：CN110957242A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910915822.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备：旋转驱动机构，其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转；处理液喷嘴，其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液；电加热器，其设置于顶板，隔着顶板对基板进行加热；电气部件，其设置于顶板的下表面侧，接收或发送用于向电加热器的供电和电加热器的控制的信号；以及周缘罩体，其与顶板的周缘部连接，与顶板一起旋转。在顶板的下方形成有收纳电气部件的收纳空间，收纳空间被包括顶板和周缘罩体的包围构造物包围，顶板的周缘部与周缘罩体之间被密封。
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公开(公告)号：CN102044411A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010508961.5
申请日：2010-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/68735
Abstract: 本发明提供基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质。该基板冷却装置能够均匀性较高地冷却基板。基板冷却装置包括：载置台，其包括用于载置基板的载置面；突起，其设置于上述载置面，用于支承上述基板的背面；制冷剂流路，其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台，供制冷剂流通；气体喷出口，其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个，喷出用于冷却基板的冷却气体；气体吸引口，其设置在上述载置面的中央部，用于吸引上述冷却气体；槽，其设置于上述载置面，用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。通过这种结构，能够均匀性较高地对载置于上述载置面的基板进行冷却。
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公开(公告)号：CN113937031A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110768432.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：液膜形成工序，一边使旋转台以第一速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有第一厚度的药液的液膜覆盖；液膜厚度调整工序，在液膜形成工序之后，一边使旋转台以比所述第一速度低的第二速度旋转，一边向基板的中心部供给药液，由此使得基板的表面的整体被具有比第一厚度大的第二厚度的药液的液膜覆盖；以及液膜加热工序，在液膜厚度调整工序之后，在使旋转台以比第二速度低的第三速度旋转的状态、或者使旋转台的旋转停止的状态下，利用电加热器来加热旋转台，由此加热基板和覆盖基板的药液的液膜。
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