公开(公告)号：CN105316639B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC: C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN108028196A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680043730.7

申请日：2016-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  朴玩哉 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用改性气体的等离子体对被处理体的抗蚀剂膜进行改性。

公开(公告)号：CN107799400A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710754868.4

申请日：2017-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随着高度集成化的微细化和多样的形状的图案的形成的技术。在一实施方式的处理被处理体的方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN118231243A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311689555.7

申请日：2023-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松原稜 ,  向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大内田聪 ,  菊池拓人

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 在一示例性实施方式中，蚀刻方法包括如下工序：(a)准备基板的工序，基板包括第1区域及第1区域下方的第2区域，第1区域包含第1材料并且具有至少1个开口，第2区域包含与第1材料不同并且含有硅的第2材料；及(b)使用由处理气体生成的等离子体，并经由至少1个开口对第2区域进行蚀刻的工序，所述处理气体含有含氟气体及CxHyClz(x及y为0以上的整数，满足x+y≥1，z为1以上的整数)气体。

公开(公告)号：CN113169066B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN116525431A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310058506.7

申请日：2023-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/305 ,  H01J37/302

Abstract: 本申请提供一种提高相对于掩膜的选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法以及等离子体处理系统。该方法具备：(a)向腔室内提供具有有机膜和在有机膜上形成的掩膜的基板的工序，掩膜包含含硅膜和在含硅膜上形成的含碳膜；(b)在腔室内，由处理气体生成等离子体的工序，所述处理气体包含：含氧气体；和含有Si或W、以及卤素的气体。(b)包含(b1)在掩膜的至少含碳膜上形成保护膜的工序和(b2)经由形成保护膜的掩膜蚀刻有机膜的工序。

公开(公告)号：CN110777361B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN109427561B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201810971378.4

申请日：2018-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。

公开(公告)号：CN108885991B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201780020010.3

申请日：2017-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  大石智之

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。

公开(公告)号：CN109564872B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201780047928.7

申请日：2017-08-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  豊田启吾 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。