公开(公告)号：CN1290156C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02816214.5

申请日：2002-08-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 ,  稻泽刚一郎 ,  西野雅

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/265 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/094 ,  G03F7/36 ,  G03F7/405 ,  H01L21/31144

Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。

公开(公告)号：CN1663030A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03815028.X

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。

公开(公告)号：CN1543666A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02816214.5

申请日：2002-08-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 ,  稻泽刚一郎 ,  西野雅

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/265 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/094 ,  G03F7/36 ,  G03F7/405 ,  H01L21/31144

Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。

公开(公告)号：CN104285282B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380022766.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  户村光宏 ,  北村彰规 ,  东堤慎司 ,  大竹浩人 ,  塚本刚史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

公开(公告)号：CN104067375B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380005955.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  安田健太 ,  石田俊介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其用于使用等离子体蚀刻装置隔着硬掩模对被处理基板的金属层进行蚀刻，连续交替地多次反复实施以下两个工序：作为所述蚀刻气体，使用由O2气体、CF4气体和HBr气体的混合气体构成的第1蚀刻气体的第1工序；和作为所述蚀刻气体，使用由O2和CF4气体的混合气体构成的第2蚀刻气体的第2工序，并且对下部电极施加第1频率的第1频率电力和比第1频率低的第2频率的第2高频电力，且脉冲状地施加第1高频电力。

公开(公告)号：CN104285282A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380022766.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  户村光宏 ,  北村彰规 ,  东堤慎司 ,  大竹浩人 ,  塚本刚史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种能够形成对多层膜进行蚀刻时使用的掩模的等离子体蚀刻方法。等离子体蚀刻方法为对掺杂有硼的无定形碳进行蚀刻的方法，该方法使用氯气和氧气的混合气体的等离子体，并使载置台(3)的温度为100℃以上。

公开(公告)号：CN100541720C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710140293.3

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。

公开(公告)号：CN101447426A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180924.9

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤和也 ,  小野胜彦 ,  水野秀树 ,  小笠原正宏 ,  北村彰规 ,  小林典之 ,  稻田靖 ,  冈本晋

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO2膜的孔的条痕。使C4F8气体、C4F6气体和C5F8气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。