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公开(公告)号：CN104681551A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310650573.4
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了用于照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，QuadFlatNoLead)封装结构，包括了系统三个主要发热量较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，PulseWidthModulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，MetalOxideSemiconductor)管，肖特基整流二极管。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，并且解决了芯片的散热问题，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN104681544A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310631682.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明以QFN(QuadFlatNoLead，方形扁平无引脚)封装结构为整体框架，提出了一种多芯片Flipchip(倒装芯片)封装结构。其中包括矩形的封装体；矩形的芯片基岛；芯片基岛底部的导热焊盘为矩形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围环形排布，形状为一边为弧形的矩形；芯片以倒装的形式焊接在导电介质基板上，焊凸通过介质基岛以导电线路与引线框架相连结。这种多芯片封装结构的优点有：采用QFN整体封装结构，内部芯片以Flipchip形式进行连接，不仅克服了单纯使用Flipchip封装结构时由于基板热膨胀系数的限制而带来的焊接可靠性的问题，同时也提高了QFN封装结构的电气性能，还体现出芯片尺寸上的优越性，为系统化封装SIP(SysteminaPackage)提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN104681527A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310638052.7
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)封装框架结构，可提高导热焊盘的抗干扰性和对高频信号屏蔽能力，并且可提高封装产品的合格率。其包括塑封体，塑封体为正方形，底面中部为导热焊盘，所述导热焊盘外围排布有导电焊盘，其特征在于：所述导热焊盘为圆形，所述导电焊盘的形状是圆形。
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公开(公告)号：CN104681517A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310650663.3
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/488 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于大功率道路照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装，Quad Flat No Lead)封装结构，包括了占用系统面积较大的芯片子模块：PWM(脉冲宽度调制，Pulse Width Modulation)控制器，功率MOS(金氧半场效晶体管，Metal Oxide Semiconductor)管，基岛，围绕所述基岛布置的多个焊盘，所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质。其中，所述不同芯片设置在基岛上，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。本发明公开的多芯片QFN封装结构，通过加入电连接芯片，为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性，减少了封装成本，从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号：CN104681513A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637618.4
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/467
Abstract: 本发明基于FlipChip（倒装芯片）封装芯片的结构，提出一种利用压电陶瓷风扇实现高效率风冷散热的系统。其特点是：风扇采用压电陶瓷风扇组；两组风扇风向（出风口）相对，每次只有一组风扇工作；系统周围密封；两端出风口有滤尘装置。这种风冷散热装置的优点在于：充分利用FC封装芯片正面及金属触点广大的接触面积和狭小的空间，利用高速气流实现芯片背面的快速散热；此散热系统可配合正面散热系统同时使用，互不影响；双向风扇可在不同时间段相继开启，有利于分别吹去对面除尘装置的灰尘；压电陶瓷风扇组所需电压低，无噪音，风量大，可靠性强；风扇系统的微型化有利于系统的微型化，例如用于个人电脑CPU和GPU的散热，可淘汰占用体积巨大的传统风扇，令硬件更加紧凑，电脑主机更加微型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681507A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310633344.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种QFN(Quad Flat No Lead，方形扁平无引脚)封装结构，在一种圆形扁平无引脚封装结构的基础之上，提出一种多层交叉导电焊盘框架结构。其中包括圆形封装体；芯片基岛为矩形；芯片基岛底部的导热焊盘为圆形；引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围以圆形轨迹围绕，其特点为：不同层导电焊盘交叉排列，其形状为对边倒圆矩形。这种圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构的特点有：突破了传统QFN封装的低I/O数量的限制，为多层芯片的封装提供了一种可能，增强了焊接的可靠性，提高了封装结构的散热性能力及抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN103137606A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397624.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法，该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线，所述通孔连通上下两层相邻的金属层，所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构有相同的长度，所述各子测试结构有不同的通孔数量，且所述各子测试结构中连接各个通孔的上层（下层）互连线总长度相等。
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公开(公告)号：CN102169895A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113496.5
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
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公开(公告)号：CN102130601A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110079356.5
申请日：2011-03-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明提供了一种适用于发光二极管(LED)驱动的原边控制恒流实现电路，以消除传统恒流实现电路中的光藕和分离运算放大器。对于工作于不连续模式的芯片来说，原边控制技术直接在变压器的辅助绕组采样输出电压，用电路采样输出端续流二极管放电的时间和芯片的工作周期，通过设定这两个时间的比值为常数以实现恒流。其中所述原边控制电路包括：电流基准产生模块，电流镜模块，采集输出二极管放电时间的模块，采集芯片工作周期的模块和比较器模块。电流基准产生模块产生电流基准，电流镜模块镜像不同的电流对两个电容充电，这两个电容分别采集续流二级管放电时间和工作周期，当两个电容的电压相等的时候打开功率开关管以实现恒流。
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公开(公告)号：CN101995523A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910057766.2
申请日：2009-08-19
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供互连线有源器件测试结构及方法，以减少测试端数量，降低测试成本；该测试结构，包括互连线结构及有源器件结构，所述互连线结构中的互连线和有源器件结构至少共用一个测试端，且共用测试端的互连线未处于回路中。
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