公开(公告)号：CN101834207A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010159191.8

申请日：2010-04-27

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  徐晓威 ,  傅春晓 ,  刘志东 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。

公开(公告)号：CN102169895A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010113496.5

申请日：2010-02-25

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 廖英豪 ,  傅春晓 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。