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公开(公告)号:CN109977440A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201711456525.6
申请日:2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元,以提高绘制版图的效率,改善版图的稳定性,其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元,由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积,根据实际版图允许面积,优化匹配精确度。所述模块单元,采用完全的共质心版图结构,提高版图紧凑性。
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公开(公告)号:CN108447844A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810449124.6
申请日:2018-05-11
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明提出了一种模组化QFN封装结构,包括所述封装结构包括单个或多个芯片基岛,所述模组包括至少两种功能芯片,所述芯片设置在所述芯片基岛内,所述芯片集成在一个封装结构内。解决了传统电路所需外部组件数量过多、设计复杂性高、系统可靠性不足、热学和电学性能差等问题。
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公开(公告)号:CN107548183A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610461606.4
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明涉及采用无线通信方式的LED驱动芯片,所述驱动芯片在上电时,通过I2C总线接口电路将非易失性存储单元中的地址信息配置给驱动芯片;所述驱动芯片接收无线射频模块的串行数据;在信号传输过程中根据接收到的单线信号,产生同步采样时钟,并采集数据,进而对单线信号进行密勒码解码;协议解析模块对数据帧进行解包操作,提取帧头、指令和数据信息,将匹配本地地址信息的数据接收下来,并根据本地解码得到的数据对显示输出模块进行控制,从而实现显示输出。
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公开(公告)号:CN107547014A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610461783.2
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H02P6/16
Abstract: 本发明提出基于隔离技术的无刷直流电机硬件系统结构。该结构包括:主控芯片,所述主控芯片为微控制器;两部分光耦隔离电路,所述光耦隔离电路使用光耦隔离芯片;驱动电路,所述驱动电路可以将脉冲宽度调制信号进行功率放大;逆变电路,所述逆变电路由功率管组成;无刷直流电机,所述无刷直流电机带有霍尔传感器。
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公开(公告)号:CN107543600A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610462358.5
申请日:2016-06-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提出带有人体脂肪测量功能的电子秤,以提高测量精度,降低设备成本。该电子秤包括:电极片、称重传感器、体重与人体阻抗测量电路,激励电路、微处理器系统、显示器、键盘等组成。利用微小的交流电流施加在人体双脚,测量人体阻抗,再利用称重传感器进行体重的测量,最后利用人体阻抗和体重体脂的相关性完成人体脂肪的计算测量并将其进行显示。
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公开(公告)号:CN105097924A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216638.9
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法,以提高击穿电压,其中该DMOS结构,包括漂移区及位于漂移区中的阱,该阱与漂移区的极型相反,该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤,其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反,在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。
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公开(公告)号:CN105095547A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410216633.6
申请日:2014-05-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元,以提高绘制版图的效率,改善版图的稳定性,其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元,由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积,根据实际版图允许面积,优化匹配精确度。所述模块单元,采用完全的共质心版图结构,提高版图紧凑性。
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公开(公告)号:CN104701305A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201310650385.1
申请日:2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本发明以覆晶封装结构为出发点,提出一种双晶片覆晶封装结构。其特点是:基板为具有两个晶片插槽的基板,基板具有中央隔板,基板插槽具有一定坡度,插槽斜坡与芯片导电凸块接触处有复数个半球形凹槽;芯片具有复数个圆柱形导电凸块,导电凸块顶部为半球形;上层散热片与基板顶部相扣。这种双晶片覆晶封装结构的优点在于:芯片焊接自对准,实现双晶片一体化封装,集成度高,减小芯片封装面积,增强散热功能。
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公开(公告)号:CN104701292A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201310650409.3
申请日:2013-12-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明公开一种高速IC-QFN封装协同优化设计方法,该方法设计的封装结构,包含一个高速IC芯片和相关控制芯片,通过硅通孔(TSV)实现连接,采用三维封装技术,从而减小了RF芯片引线的寄生效应。对QFN封装,封装中央裸露的焊盘能够很好的吸收多余的热量,能够很好的改善三维封装底部芯片的热应力。考虑到芯片管脚的数目,三维分装主要应用于球栅阵列封装中,由于QFN低廉的成本和成熟的封装工艺,如果在管脚较少的三维封装中能够使用QFN封装,既可以极大的优化高速IC的性能。另外,对于集成度较高的三维封装,封装过程中产生的热应力越来越成为影响芯片性能的重要因素,本发明基于对芯片封装热应力的产生和对高速IC寄生的分析提出一种QFN封装的协同优化设计方法,从减小寄生和减小热应力两方面对QFN封装进行优化。
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