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公开(公告)号：CN113128167A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392751.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F30/398 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种带宽可调的多矢量误差放大器，用以提高封装设计的灵活性、直观性和通用性，主要包括电学参数提取模块，电学参数自动优化模块；热学参数提取模块，热学参数自动优化模块；力学参数提取模块，力学参数自动优化模块；公共数据传输模块及公共数据优化模块。
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公开(公告)号：CN113125853A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911386695.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了通孔电阻测试结构及方法，以提高通孔电阻的测试精确度。该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，包含有多个通孔单元及连接通孔单元的互连线，相邻两个通孔单元由互连线相连，所述同一个子测试结构中的通孔单元包含的通孔数相同，所述互连线由分别位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构在通孔单元的通孔数彼此不相同，所述各子测试结构的互连线部分完全相同。
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公开(公告)号：CN110441571A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910519268.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明根据ESD静电防护中的CDM模式电流测试检验要求，提出了一种可用于手动操作的检测结构及测试方法，以便准确完成对基于CDM模式的ESD电流波形抓取，为CDM模式ESD静电防护能力测试提供数据支持。该系统结构包括：用于支持的测试机台，机台底座上承载测试器件DUT（Device Under Test），机台支架,用于固定系统的检测模块。检测模块包括pogo（弹簧单高跷）探针、测试板等结构。测试机台使用铝合金材质制成，具有紧固旋钮手动调节升降的功能，同时带有固定装置，可以固定设备的测试板，测试板为双层FR-4板。Pogo探针为射频专用探针，可以满足18GHz及以下条件下的信号测试。同轴电缆特性阻抗为50Ω.所使用的校准模块（即校准电容）为FR-4材料，静电容值为4pF。
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公开(公告)号：CN109980006A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452893.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有双面界面掺杂浓度线性增加结构SOI高压器件。该结构在SOI器件介质层上下界面分别注入高浓度N+和高浓度P+,从源端到漏端，N+和P+浓度线性连续增大。器件外加高压时，纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽n+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。引入的界面电荷对介质层电场(E，)产生附加增强场(△E，)，使介质层承受更高耐压，同时对顶层硅电场(ES)产生附加削弱场(△艮)，避免在硅层提前击穿，从而有效提高器件的击穿电N(BV)。详细研究DCI SOI工作机理及相关结构参数对击穿电压的影响，在5μm介质层、1μm顶层硅上仿真获得825V高耐压，较常规结构提高284.4％，其中，附加场△E，和AEs分别达到725.5V/tm和34V/um。
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公开(公告)号：CN109979893A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711455436.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/762
Abstract: 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。
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公开(公告)号：CN109979874A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452955.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L21/762 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能。
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公开(公告)号：CN109977439A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454488.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线，以减小版图的面积，提高绘制测试结构版图的效率，改善结构的稳定性，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述模块单元提供控制晶体管个数、栅长、栅宽、叉指数等四组参数，修改所述的四组参数，可以调整晶体管的数量和尺寸，模块内部将自动做出相应调整，仍然保持匹配连接关系。所述模块单元中，引出四条金属线，供模块单元与衬垫(PAD)连接。所述测试结构，可以随时调整它的衬垫间距，根据实际版图允许面积，优化与测试晶体管的匹配精确度。所述测试结构，采用完全的上下对称的版图结构，被测晶体管独立引出源(S)、漏(D)衬垫；而栅(G)、衬底(Sub)为所有晶体管共用。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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公开(公告)号：CN107544013A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610469534.8
申请日：2016-06-24
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提出的AEC-Q100复合应力测试机，是将加速环境应力测试、加速寿命模拟测试和封装凹陷整合测试结合在一起的一种AEC-Q100复合应力测试机。在测试过程中，只需要一台测试设备，就可以同时测试多种应力测试，测量、操作方法比较简单,由于多种应力测试同时经行，耗费时间也同时减小。测试结果能同时反映芯片实际不同的受力情况,是进行集成电路应力测量的有力工具。
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公开(公告)号：CN107462752A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610390501.4
申请日：2016-06-06
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R1/28
CPC classification number: G01R1/28
Abstract: 本发明提出一种用于ESD测试的人体放电模型（HBM）信号发生电路，以提高产生激励波形的质量。该结构包括：直流高压电源、继电器、高压滤波器、电阻电容、外接测试设备组成。直流高压电源串接一个限流电阻，再接继电器，继电器一端接电容器，电容器接地构成回路，一端接1.5KΩ电阻，再接测试设备，最后接地构成回路。本发明提出的HBM信号发生电路是在传统的HBM测试电路中添加高压滤波器。用来减小HBM测试机台产生的激励波形存在杂波的幅度，或激励波形产生畸变的情况，使产生的激励失真波形更加平滑，与标准的激励波形更加符合，更加准确的给出ESD测试结果。
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