公开(公告)号：CN101834207A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010159191.8

申请日：2010-04-27

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  徐晓威 ,  傅春晓 ,  刘志东 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。

公开(公告)号：CN105097924A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216638.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 徐帆 ,  徐晓威 ,  刘志东 ,  程玉华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。该方法包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。