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公开(公告)号:CN104681508A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201310635336.0
申请日:2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明以QFN封装(方形扁平无引脚封装)结构为出发点,提出一种圆形扁平无引脚封装结构。其特点是:封装体外形为圆形;引线框架环形排布于塑封体内侧四周且外侧为圆弧形;芯片基岛为圆形;芯片基岛底部的导热焊盘为圆形;引线框架底部的导电焊盘环形排布于导热焊盘外侧四周且外侧为圆弧形。这种圆形扁平无引脚封装结构的优点在于:可以提高引脚数量和芯片尺寸比例,提高封装结构的散热性能,增强焊接可靠性,减小封装结构的高频寄生效应。
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公开(公告)号:CN104681551A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201310650573.4
申请日:2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了用于照明的一种多芯片QFN(方形扁平无引脚封装,QuadFlatNoLead)封装结构,包括了系统三个主要发热量较大的芯片子模块:PWM(脉冲宽度调制,PulseWidthModulation)控制器,功率MOS(金氧半场效晶体管,MetalOxideSemiconductor)管,肖特基整流二极管。本发明公开的多芯片QFN封装结构,通过加入电连接芯片,为一颗或多颗芯片封装在一个QFN里提供了可行性,减少了封装成本,并且解决了芯片的散热问题,从而大大提高了系统的集成度和可靠性。
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公开(公告)号:CN104681507A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201310633344.1
申请日:2013-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种QFN(Quad Flat No Lead,方形扁平无引脚)封装结构,在一种圆形扁平无引脚封装结构的基础之上,提出一种多层交叉导电焊盘框架结构。其中包括圆形封装体;芯片基岛为矩形;芯片基岛底部的导热焊盘为圆形;引线框架底部的导电焊盘在导热焊盘周围以圆形轨迹围绕,其特点为:不同层导电焊盘交叉排列,其形状为对边倒圆矩形。这种圆形扁平无引脚多层交叉导电焊盘封装结构的特点有:突破了传统QFN封装的低I/O数量的限制,为多层芯片的封装提供了一种可能,增强了焊接的可靠性,提高了封装结构的散热性能力及抗干扰能力。
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