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公开(公告)号：CN103258811A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110394946.7
申请日：2012-02-16
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , G01R27/26 , G06F17/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法，以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真，在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数，并将仿真结果和实测值进行对比，取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值；该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。
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公开(公告)号：CN103136400A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395447.X
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种生成精确的互连线电阻（R）电容（C）工艺角解析模型的方法。该方法改变传统互连线工艺角模型方法PRCA方法中设置的偏移量（skew）值，通过解析方程和统计模拟生成新的skew表达式，建立与实际结果相近的更为精确的互连线工艺角模型。该方法将给定金属层的互连几何参数（W、T、H）设为独立的正太分布变量，并采用统一的偏移量（skew值）作为全局参数。通过利用一阶Taylor展开获得互连线电学参数R、C的线性逼近方程，结合正太分布的数学特性，分别计算出电阻R、电容C以及两者的乘积RC在最差/最好工艺角下几何参数波动的全局skew值。再采用MonteCarlo方法对一组不同W的互连线电学参数进行仿真确定实际的R、C以及RC乘积的最差/最好工艺角。最后引用regression技术以MonteCarlo方法的模拟结果为基准对此前计算的skew值进行微调，则可获得精确的工艺角参数解析模型。与现有技术相比，本发明的有益效果是，生成了合理的工艺角模型，避免过于悲观的预测结果而浪费了设计空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103134993A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397748.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/26 , G01R31/2648 , G01R31/2882 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。
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公开(公告)号：CN103134986A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395429.1
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法，该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线，所述通孔连通上下两层相邻的金属层，所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构有相同的长度，所述各子测试结构有不同的通孔数量，且所述各子测试结构中连接各个通孔的上层（下层）互连线总长度相等。
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公开(公告)号：CN103137606A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397624.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L23/544 , G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法，该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线，所述通孔连通上下两层相邻的金属层，所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构有相同的长度，所述各子测试结构有不同的通孔数量，且所述各子测试结构中连接各个通孔的上层（下层）互连线总长度相等。
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公开(公告)号：CN103134989A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395512.9
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明为互连线电阻电容的测量结构和方法，提供了多层互连线测试结构中的层内电容和层内电阻测试方法，以提高测量的精确度，并尽量减小芯片面积，降低生产成本，该结构包括多个子测试结构，所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的combmeander结构，在某一子测试结构的所述电阻互连线两端连接有子电阻测量端，其他的子测试结构通过互连线及测量开关并联到子电阻测试端；所有子测试结构的电容互连线并联；其中各测试端位于不相邻的金属层；其余金属层为平行板结构。
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