公开(公告)号：CN1963953A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610121326.5

申请日：2006-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  丁柱焕 ,  高亨守 ,  洪承范

IPC: G12B21/12 ,  G12B21/02 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/02 ,  G01Q10/06 ,  G01Q70/08 ,  G01Q80/00

Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。

公开(公告)号：CN1884618A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610086467.8

申请日：2006-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。

公开(公告)号：CN1869797A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610078433.4

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申原硕 ,  裵良浩 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成第一信号线；在第一信号线上顺序地形成栅极绝缘层和半导体层；在栅极绝缘层和半导体层上形成第二信号线；以及形成连接至第二信号线的像素电极。第一信号线和第二信号线中的至少一条包括第一导电氧化物层、含银(Ag)导电层、以及以比第一导电氧化物层低的温度形成的第二导电氧化物层。

公开(公告)号：CN1770456A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510092119.7

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  丁柱焕 ,  高亨守 ,  朴弘植 ,  闵桐基 ,  金恩植 ,  朴哲民 ,  金成栋 ,  白庚录

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11C11/22

Abstract: 提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。

公开(公告)号：CN1653605A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810407.5

申请日：2003-05-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  辛铉正 ,  丁柱焕

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/40 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B11/08

Abstract: 提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。

公开(公告)号：CN1625590A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02828720.7

申请日：2002-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  姜聖哲 ,  赵弘济

IPC: C09K13/00

CPC classification number: C23F1/30 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13

Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案，以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层，利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案，以形成与漏极电连接的多个反射层。

公开(公告)号：CN1623236A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02828517.4

申请日：2002-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  姜聖哲 ,  赵弘济 ,  朴爱娜 ,  朴俸沃 ,  郑敞午

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28008 ,  G03F7/0047 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32051 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法，通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光，并且显像以形成金属图案。

公开(公告)号：CN1184534C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00126840.6

申请日：2000-09-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友半导体株式会社

Inventor： 周振豪 ,  李有京 ,  朴弘植 ,  罗允静 ,  金玑洙 ,  姜圣哲 ,  康升镇

IPC: G03F7/022 ,  G03F7/16 ,  B05D1/40

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。

公开(公告)号：CN1896822B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610099011.5

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: G02F1/1333 ,  C09K13/04

CPC classification number: G02F1/13439 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2-15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02-10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。

公开(公告)号：CN1808710B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200510127641.4

申请日：2005-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L51/5228

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，形成在绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上；漏电极和具有源电极的数据线，形成在栅极绝缘层上，其中，漏电极面对源电极，且在其间具有间隙；以及像素电极，连接至漏电极。栅极线、数据线、以及漏电极中的至少一个包括由导电氧化物制成的第一导电层和邻近第一导电层沉积的银的第二导电层。