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公开(公告)号：CN1311056C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02828720.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案，以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层，利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案，以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号：CN1725074A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510083347.8
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , B05B3/00
Abstract: 本发明公开了一种基板处理设备及使用其的基板处理方法，该基板处理设备包括处理溶液分配器、传送单元和控制器，处理溶液分配器在基板上提供处理溶液，传送单元传送基板，而控制器控制传送单元使得基板以倾斜状态被传送。相对于平行于基板的传送方向延伸的轴旋转基板使其向侧向倾斜。该旋转可以以交替方式在两个方向进行。该设备可以不考虑基板的尺寸而用于均匀地处理基板。
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公开(公告)号：CN1517802A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03100735.X
申请日：2003-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂的TFT－LCD高性能剥离剂组合物，并且更具体地是涉及用于抗蚀剂的剥离剂组合物，包含20％至60％重量的单乙醇胺、15％至50％重量的N，N－二甲基乙酰胺、15％至50％重量的卡必醇以及0.1％至10％重量的没食子酸。本发明还提供了用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物，包含20％至60％重量的单乙醇胺、15％至50％重量的N，N－二甲基乙酰胺、15％至50％重量的卡必醇。本发明的用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物在应用于TFT－LCD生产过程时，显著地降低了剥离时间。而且其因为具有良好的剥离能力也不会留下杂质颗粒，并且因为能够省略硬焙烤和磨光过程，所以能够简化门处理，降低了成本。此外，当其应用在使用银(Ag)作为反射/透射层的过程时，提供了纯银层的耐腐蚀能力和剥离能力。
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公开(公告)号：CN1769528B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
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公开(公告)号：CN1749354B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200510106764.X
申请日：2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵-基材料的蚀刻抑制剂，及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1749354A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510106764.X
申请日：2005-08-25
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于除去铟氧化物层的蚀刻剂，包括主氧化剂硫酸，诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2和混合物A的辅助氧化剂，含有铵－基材料的蚀刻抑制剂及水，其中所述混合物A由过一硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)和硫酸钾(K2SO4)按5∶3∶2的比例混合得到。这种蚀刻剂可以除去铟氧化物层需要去除的部分，而不破坏光刻胶图案或铟氧化物层下面的各层。
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公开(公告)号：CN101615576B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910160136.8
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/6708 , B05B13/0221
Abstract: 本发明公开了一种基板处理设备及使用其的基板处理方法，该基板处理设备包括处理溶液分配器、传送单元和控制器，处理溶液分配器在基板上提供处理溶液，传送单元传送基板，而控制器控制传送单元使得基板以倾斜状态被传送。相对于平行于基板的传送方向延伸的轴旋转基板使其向侧向倾斜。该旋转可以以交替方式在两个相反方向进行。该设备可以不考虑基板的尺寸而用于均匀地处理基板。
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公开(公告)号：CN1625590A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828720.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案，以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层，利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案，以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号：CN1623236A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828517.4
申请日：2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法，通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光，并且显像以形成金属图案。
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公开(公告)号：CN101615576A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910160136.8
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/6708 , B05B13/0221
Abstract: 本发明公开了一种基板处理设备及使用其的基板处理方法，该基板处理设备包括处理溶液分配器、传送单元和控制器，处理溶液分配器在基板上提供处理溶液，传送单元传送基板，而控制器控制传送单元使得基板以倾斜状态被传送。相对于平行于基板的传送方向延伸的轴旋转基板使其向侧向倾斜。该旋转可以以交替方式在两个相反方向进行。该设备可以不考虑基板的尺寸而用于均匀地处理基板。
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